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Etikett: FETs

Der vierteljährliche Produktumsatz von Transphorm sinkt aufgrund kurzfristiger Nachfragerückgänge um 11 %

News: Mikroelektronik 22. Februar 2024 Für das dritte Geschäftsquartal 2024 (bis Ende Dezember 2023) hat Transphorm Inc aus Goleta, in der Nähe von Santa Barbara, Kalifornien, USA...

Top Nachrichten

EPC Space bringt den ersten strahlungsfesten GaN-Leistungsstufen-IC auf den Markt

News: Microelectronics 14. Februar 2024 EPC Space LLC aus Haverhill, MA, USA (das hochzuverlässige strahlungsgehärtete Galliumnitrid-Energiemanagementlösungen im Anreicherungsmodus anbietet …

Transphorm stellt auf der APEC die GaN-Leistungsumwandlungsreihe vor

News: Microelectronics 8. Februar 2024 Transphorm Inc aus Goleta, in der Nähe von Santa Barbara, Kalifornien, USA, gibt bekannt, dass es sein breites Spektrum präsentiert...

Qorvo bringt für die Automobilindustrie qualifizierten 9-m-750-V-SiC-FET im D2PAK-7L-Gehäuse auf den Markt

News: Microelectronics 5. Februar 2024 Qorvo Inc aus Greensboro, NC, USA (das Kerntechnologien und HF-Lösungen für Mobil-, Infrastruktur- und...

Eine potenziell CMOS-kompatible Integration rekonfigurierbarer FETs auf Basis von Al-Si-Al-Heterostrukturblättern

Ein Fachartikel mit dem Titel „Reconfigurable Si Field-Effect Transistors With Symmetric On-States Enabling Adaptive Complementary and Combinatoric Logic“ wurde von Forschern der TU Wien veröffentlicht...

EYE auf NPI – Batteriemanagementsystemmodul AEK-POW-BMS63EN von STMicroelectronics #EYEon NPI #digikey #adafruit @DigiKey @ST_world @adafruit

Das EYE ON NPI (Video) dieser Woche ist Teil eines ausgewogenen Frühstücks, nein, wir meinen einen ausgewogenen Akku! Es ist der AEK-POW-BMS63EN von STMicroelectronics...

Renesas übernimmt den GaN-Gerätehersteller Transphorm für 339 Millionen US-Dollar

^ „Mikroelektronik“. 11. Januar 2024 Transphorm Inc aus Goleta, Kalifornien, USA, soll von einer Tochtergesellschaft der Renesas Electronics Corp. übernommen werden.

Status des IP-Wettbewerbs für vertikale GaN-Stromversorgungsgeräte

News: Mikroelektronik 11. Dezember 2023 Galliumnitrid (GaN)-Leistungsbauelemente wurden erfolgreich in mehreren Leistungsanwendungen eingesetzt, angefangen bei lateralen GaN...

Hochgestapelte Nanodraht-FETs zur Verbesserung des Antriebsstroms und der Transistordichte

Forscher der National Taiwan University haben einen Fachartikel mit dem Titel „Herstellung und Leistung hochgestapelter GeSi-Nanodraht-Feldeffekttransistoren“ veröffentlicht. Zusammenfassung: „Horizontaler Torumlauf...“

EPC bringt Referenzdesign für 100-V-eGaN-FET-basierte 3-Phasen-BLDC-Motorantriebswechselrichter auf den Markt

News: Microelectronics 3. November 2023 Efficient Power Conversion Corp (EPC) aus El Segundo, CA, USA – das Galliumnitrid im Anreicherungsmodus auf Silizium (eGaN) herstellt …

Startup-Finanzierung: September 2023

Chip-to-Chip- und Rechenzentrums-I/O erregten im September Interesse bei Investoren, einschließlich der Unterstützung mehrerer Startups, die Compute Express Link (CXL)-Lösungen entwickeln. Anderswo in der...

Niedriger ohmscher Kontaktwiderstand und hohes Ein-/Aus-Verhältnis in Übergangsmetall-Dichalkogenid-Feldeffekttransistoren durch rückstandsfreie Übertragung – Nature Nanotechnology

Liu, C. et al. Zweidimensionale Materialien für Computertechnologien der nächsten Generation. Nat. Nanotechnologie. 15, 545–557 (2020).Artikel CAS Google Scholar Jung, S.-G., Kim, J.-K. &...

High-NA-Lithographie nimmt Gestalt an

Die Zukunft der Halbleitertechnologie wird oft durch die Linse von Fotolithographiegeräten betrachtet, die weiterhin eine bessere Auflösung für zukünftige Prozessknoten bieten ...

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