News: Mikroelektronik
14 Februar 2024
EPC Space LLC aus Haverhill, MA, USA (das hochzuverlässige strahlungsgehärtete Enhancement-Mode-Galliumnitrid-Energiemanagementlösungen für den Weltraum und andere raue Umgebungen anbietet) hat einen 50 V, 6 A radfesten GaN-Leistungsstufen-IC auf den Markt gebracht, der für Weltraumanwendungen entwickelt wurde . Der EPC7011L7SH ist ein Einzelchip-Treiber plus eGaN-FET-Halbbrücken-Leistungsstufen-IC in einem kompakten Gehäuse mit Aluminiumnitrid-Keramik-Oberflächenmontagetechnologie. Die Integration erfolgt mithilfe der proprietären GaN-IC-Technologie von EPC. Eingangslogikschnittstelle, Pegelverschiebung, Bootstrap-Lade- und Gate-Treiber-Pufferschaltungen sowie als Halbbrücke konfigurierte eGaN-Ausgangs-FETs sind in einem monolithischen Chip mit einer Hochgeschwindigkeitsschaltfähigkeit von 2+MHz integriert.
IC-Produkte machen es Designern leicht, von den erheblichen Leistungsverbesserungen zu profitieren, die mit der GaN-Technologie möglich sind. Laut EPC sind integrierte Geräte in einem einzigen Chip einfacher zu implementieren, einfacher zu gestalten, einfacher zu montieren, sparen Platz auf der Leiterplatte und steigern die Effizienz.
„Integriertes strahlungshartes GaN-auf-Silizium bietet eine höhere Leistung auf kleinerem Raum und erfüllt gleichzeitig alle Strahlungshärteanforderungen für Weltraumanwendungen“, sagt Bel Lazar, CEO von EPC Space.
Der EPC7011L7SH ist Teil einer Familie strahlungsfester ICs auf Weltraumebene, die EPC und EPC Space ab diesem Jahr auf den Markt bringen werden. Strahlungsharte ICs sind die nächste bedeutende Stufe in der Entwicklung der strahlungsharten GaN-Leistungsumwandlung, von der Integration diskreter Geräte bis hin zu komplexeren Lösungen, die eine In-Circuit-Leistung bieten, die über die Fähigkeiten von Siliziumlösungen hinausgeht, und die Designfreundlichkeit für Energiesystemingenieure erhöhen .
Zu den Anwendungen des EPC7011L7SH gehören ein- und mehrphasige Motortreiber für Reaktionsradbaugruppen (RWAs), Roboteraktuatoren und Point-of-Load-Wandler.
Bei Abnahmemengen von 1000 Einheiten liegt der Preis für technische Modelle bei 445 US-Dollar und für radharte, weltraumtaugliche Modelle bei 665 US-Dollar.
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- Quelle: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/epcspace-140224.shtml