Tin tức: Vi điện tử
14 Tháng ba, 2024
Worksport Ltd ở West Seneca, NY, Hoa Kỳ (một nhà sản xuất phụ kiện ô tô đang phát triển các giải pháp năng lượng sạch) đã công bố một bước đi chiến lược nhằm tích hợp gallium nitride (GaN) vào các sản phẩm sắp ra mắt của mình.
Được thúc đẩy bởi tiềm năng của GaN trong việc cung cấp hiệu suất vượt trội, tăng hiệu quả cũng như giảm kích thước và trọng lượng so với các giải pháp dựa trên silicon thông thường, mục tiêu của Worksport là tích hợp GaN vào các phiên bản tương lai của Hệ thống tạo pin di động COR, thông qua nhiều quan hệ đối tác khác nhau, bao gồm cả một quan hệ đối tác đã được công bố trước đó Tháng 2 với nhà sản xuất chất bán dẫn GaN Infineon Technologies AG ở Munich, Đức.
So với silicon, các công tắc nguồn dựa trên GaN có điện dung tổng thể thấp hơn, đặc biệt khi chúng không có đi-ốt thân chống song song. Do đó, bộ chuyển mạch GaN cho phép tốc độ chuyển mạch nhanh hơn và giảm tổn thất điện năng. GaN cũng có thể chịu được nhiệt độ cao hơn silicon. Do đó, việc sử dụng GaN có thể tăng cường hiệu quả, quản lý nhiệt và hiệu suất. Ngoài ra, do GaN có dải năng lượng rộng nên các thiết bị có thể chịu được điện áp cao hơn nhiều so với các thiết bị dựa trên silicon trong khi vẫn sử dụng các gói nhỏ hơn. Điều này có thể tạo ra các bộ chuyển đổi nguồn có mật độ năng lượng cao hơn nhiều so với các bộ chuyển mạch dựa trên silicon thường thấy.
Worksport cho rằng, bằng cách tận dụng công nghệ GaN, các sản phẩm trong tương lai của họ sẽ có thể mang lại hiệu suất chưa từng có đồng thời tiêu thụ ít năng lượng hơn, giúp kéo dài tuổi thọ pin nhờ bộ chuyển đổi năng lượng hiệu quả cao hơn. Ngoài ra, do hiệu suất cao hơn của GaN, các bộ chuyển đổi điện dựa trên GaN tỏa ít nhiệt hơn và có yêu cầu làm mát thấp hơn cũng như nhu cầu về quạt làm mát giảm, khiến công ty tin rằng họ có thể mang lại kích thước nhỏ gọn hơn cho các thiết bị điện tử công suất của mình. Hơn nữa, Worksport tin rằng, bằng cách sử dụng GaN, họ sẽ có thể tạo ra các thiết bị đáng tin cậy hơn và bền bỉ hơn, đồng thời giảm nguy cơ quá nhiệt và suy giảm hiệu suất.
Worksport sử dụng bóng bán dẫn điện GaN của Infineon trong bộ chuyển đổi của các trạm điện di động
- Phân phối nội dung và PR được hỗ trợ bởi SEO. Được khuếch đại ngay hôm nay.
- PlatoData.Network Vertical Generative Ai. Trao quyền cho chính mình. Truy cập Tại đây.
- PlatoAiStream. Thông minh Web3. Kiến thức khuếch đại. Truy cập Tại đây.
- Trung tâmESG. Than đá, công nghệ sạch, Năng lượng, Môi trường Hệ mặt trời, Quản lý chất thải. Truy cập Tại đây.
- PlatoSức khỏe. Tình báo thử nghiệm lâm sàng và công nghệ sinh học. Truy cập Tại đây.
- nguồn: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/worksport-140324.shtml
