ニュース: マイクロエレクトロニクス
23 年 1 月 2024 日
カリフォルニア州ロングビーチで開催された応用パワーエレクトロニクス会議 (APEC 2245) (2024 月 25 ~ 29 日) のブース #150 に、米国カリフォルニア州レイクフォレストの SemiQ Inc が出展しました。同社は炭化ケイ素 (SiC) パワー半導体の設計、開発、製造を行っています。高周波、高温、高効率のパワー半導体デバイス用の 1200mm SiC エピタキシャル ウェーハは、QSiC 227V MOSFET モジュールの新しいポートフォリオをデビューさせます。これは、困難な条件下でも確実に動作し、高性能、高密度の実装を可能にするように設計されています。動的損失と静的損失の両方を最小限に抑えます。高性能セラミックから作られたモジュールは、SOT-XNUMX、ハーフブリッジ、フルブリッジのオプションで利用できます。
新しい QSiC MOSFET モジュールは、効率、電力密度、性能が重要な設計基準となるさまざまな自動車および産業用電源アプリケーションをサポートします。これらには、電気自動車 (EV) 充電、車載充電器 (OBC)、DC-DC コンバータ、E-コンプレッサー、燃料電池コンバータ、医療用電源、エネルギー貯蔵システム、太陽光および風力エネルギー システム、データセンター電源、およびUPS/PFC回路。
「当社のパワーモジュールは、その高性能だけでなく、信頼性を保証する厳格なテストでも際立っています」と社長のティモシー・ハン博士は述べています。 「すべてのモジュールは 1350V を超えるテストを受けています。ゲートのバーンイン テストから HTRB や H3TRB などのストレス テストに至るまで、私たちは安定性と品質を優先します。」
SemiQ、5V MOSFETパワーモジュールのQSiCシリーズにハーフブリッジパッケージの10mΩ、20mΩ、1200mΩのバリエーションを追加
SemiQ が 1200V 40mΩ SiC MOSFET を発売
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- 情報源: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/jan/semiq-230124.shtml