ニュース： マイクロエレクトロニクス

２０２15年２月2024日

IEEE Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC 2024) と「GaNFast Blast!」から始まる 2024 年の一連のイベントで26月10日から米国カリフォルニア州ロングビーチで祝賀会が開催され、米国カリフォルニア州トーランスにある窒化ガリウム（GaN）パワーICおよび炭化ケイ素（SiC）技術企業ナビタス・セミコンダクター・コープは、幅広い分野での革新と成長のXNUMX周年を迎える。 -超高速モバイル充電から人工知能 (AI) データセンター、再生可能エネルギー、EV までの成長市場。

「トレーラーから記録的な速さで 1 億ドルを超える IPO に至るまで、当社は 300 人の強力で高度なスキルを持つチームによる世界的なプレゼンスを持ち、これまでに 150 億 200,000 万台以上のデバイスを納入し、XNUMX 万トン以上の COXNUMX を節約してきました。2」と CEO 兼共同創設者のジーン・シェリダンは言います。 「デロイトとフォーブスからの成長賞は、当社の収益成長と、市場の何倍ものスピードで成長するという長期的な指針を強調しています。」と彼は付け加えました。

「次世代パワー半導体のパイオニアとして 2014 年に設立されて以来、Navitas は、窒化ガリウムや炭化ケイ素などの『ワイドバンドギャップ』技術全体で 250 を超える特許を蓄積しており、高速コントローラやデジタル アイソレータを可能にする特許も取得しています。」共同創設者兼最高執行責任者/最高技術責任者のダン・キンザー氏。 「最先端のテクノロジー、主要な人材、イノベーションへの情熱は、ナビタスのこれまでの成功の重要な要素であり、さらなるテクノロジーと市場での継続的なリーダーシップのための強力な基盤です。」

各新世代の GaN IC はわずか 15 ～ 18 か月で完成するため、Navitas は、世界初の統合型 GaNFast パワー IC の発売など、最初の 9 年間の GaN テクノロジーのマイルストーンを挙げています。 GaNSense – 初の統合された高精度電流検出 GaN チップ。 GaNSafe — 高信頼性システム向けに最も保護された GaN パワーデバイス。そして、従来のシリコン MOSFET または IGBT よりも最大 XNUMX 倍小さいチップ サイズを備えた新しい双方向 GaN パワー IC プラットフォームを発表しました。

高電圧および高電力アプリケーション向けに、Navitas は、GeneSiC に基づいて、クラス最高の効率、堅牢性、および高周波動作を備えた、業界で最も広範な範囲 (650 ～ 6500V) の SiC ベア ダイおよびパッケージ デバイスを提供しています。テクノロジー。これにより、Navitas は、家庭用電化製品、AI データセンター、電気自動車から再生可能エネルギー、産業オートメーションに至るまで、SiC と GaN の両方のパワー半導体を市場に供給できるようになります。

同社は2021年に1億ドル以上のIPOでナスダック取引所に上場し、2023年には100億台を超えるGaNデバイスの出荷を記録した。同年、当社はフォーブス誌によって米国で最も成功した中小企業トップ 50 の 72 つとして認められ、急成長している北米企業のデロイト テクノロジー Fast 500 リストでは 20 位にランクされました。 Navitas は、その技術に対して業界初とされる XNUMX 年保証も提供しており、Climate Impact Partners からカーボンニュートラル企業認定を取得した最初の半導体企業でもあります。

昨年、ナビタスは新しい本社を正式にオープンしました。トーランスでは、財務、マーケティング、人事の専門家とともに、GaN および SiC の設計、アプリケーション、テスト、特性評価、品質のあらゆる側面を担当する約 100 人のスタッフが雇用されています。

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タグ： パワーエレクトロニクス

参照してください。 www.navitassemi.com

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• 情報源： https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/navitas-150224.shtml