タグ： 2D半導体

NTT Research PHI Lab の科学者が 2D 半導体における励起子の量子制御を達成 – ハイパフォーマンスコンピューティングニュース分析 | HPC 内

量子 2024 年 3 月 26 日

カリフォルニア州サニーベール – 26 年 2024 月 9432 日 – NTT (TYO:XNUMX) の一部門である NTT Research, Inc. は本日、同社の物理情報学 (PHI) 研究所の科学者らが量子物理学を達成したと発表しました。

トップニュース

2D 半導体の成長には依然として課題が残る – Nature Nanotechnology

ナノテクノロジー 2024 年 2 月 7 日

グラフェンベースの半導体は有用なバンドギャップと高い電子移動度を備えています – Physics World

量子 2024 年 1 月 26 日

鏡、鏡、この中で最も効率的な半導体は誰でしょうか?

ナノテクノロジー 2023 年 8 月 9 日

スピン谷にロックされた超格子における他の層ごとの双極子励起子

ナノテクノロジー2023 年 3 月 23 日

Bistritzer, R. & MacDonald, AH ツイスト二重層グラフェンのモアレバンド。議事録国立アカデミー。科学。 USA 108, 12233–12237 (2011).Article CAS Google Scholar ...

ウェーハスケールでの二次元エレクトロニクスの再現性の高いファンデルワールス統合

ナノテクノロジー2023 年 3 月 20 日

Sangwan、VK等。単層MoS2の結晶粒界を介したゲート調整可能なメムリスティブ現象。ナット。ナノテク。 10, 403–406 (2015).Article CAS Google Scholar ...

リサーチビット：6月XNUMX日

半導体2023 年 3 月 6 日

シリコン上の 2D TMDs MIT、テキサス大学ダラス校、基礎科学研究所、成均館大学、ワシントン大学セントルイス校のエンジニア...

IEDM 2023 – 2D マテリアル – インテルと TSMC

半導体2023 年 2 月 20 日

Intel と TSMC は、2022 つの最先端ロジック企業のうちの XNUMX つを構成しています。 XNUMX 年 XNUMX 月に開催された IEDM で、Intel は ...

今週のレビュー: 半導体の製造とテスト

半導体2023 年 2 月 17 日

バイデン政権による半導体製造装置の輸出禁止により、中国のチップメーカーの拡大計画が遅れている、と日経アジアは報じている。長江メモリーテクノロジーズ（YMTC）は...

Research Bits: 31月XNUMX日

半導体2023 年 1 月 31 日

業界研究 2D での WSe2/WS2 ギャップの橋渡し。チップ上の脾臓; リチウム金属が失敗する理由; アナログ量子コンピューター。 ...

電子ブリッジにより、半導体間の迅速なエネルギー共有が可能

ナノテクノロジー2023 年 1 月 4 日

04 年 2023 月 2 日 (Nanowerk ニュース) 半導体デバイスがますます小型化するにつれて、研究者はトランジスタやオプトエレクトロニクスへの潜在的な応用のために XNUMX 次元 (XNUMXD) 材料を研究しています。

層状半導体における励起子と混成マグノン間の調整可能な相互作用

ナノテクノロジー2022 年 12 月 28 日

Burch, KS, Mandrus, D. & Park, J.-G. 二次元ファンデルワールス物質の磁性。 Nature 563, 47–52 (2018).Article CAS Google Scholar Belvin,...

2D 半導体 FET のレポートとベンチマークのプロセス

半導体２０２２年７月１１日

NIST、パデュー大学、UCLA、Theiss Research、北京...

元素二次元半導体としてのテルルの復活

半導体2022 年 3 月 23 日

パデュー大学の研究者は、電界効果トランジスタへの応用や超スケールCMOS回路の構築の可能性など、原子的に薄いTe 2次元（1D）フィルムとXNUMX次元（XNUMXD）ナノワイヤの合成における最近の進歩をレビューしています。

ポスト元素二次元半導体としてのテルルの復活最初に登場した半導体エンジニアリング.

生成的データインテリジェンス