News: Mikroelektronik
5. MÄRZ 2024
Die Infineon Technologies AG aus München hat ihre nächste Generation der MOSFET-Trench-Technologie aus Siliziumkarbid (SiC) vorgestellt. Der neue CoolSiC MOSFET 650V und 1200V Generation 2 soll im Vergleich zur Vorgängergeneration MOSFET-Kennzahlen wie gespeicherte Energien und Ladungen um bis zu 20 % verbessern, ohne Kompromisse bei Qualität und Zuverlässigkeit einzugehen, was zu einer insgesamt höheren Energieeffizienz führt.
Bild: CoolSiC MOSFET 650V- und 1200V-G2-Geräte von Infineon.
Die CoolSiC-MOSFET-Technologie der Generation 2 (G2) nutzt weiterhin die Leistungsfähigkeit von Siliziumkarbid, indem sie einen geringeren Energieverlust ermöglicht, eine höhere Effizienz bei der Stromumwandlung ermöglicht und Leistungshalbleiteranwendungen wie Photovoltaik, Energiespeicherung, DC-Laden von Elektrofahrzeugen, Motorantriebe und Industriestrom zugute kommt Lieferungen.
Eine mit CoolSiC G2 ausgestattete DC-Schnellladestation für Elektrofahrzeuge ermöglicht bis zu 10 % weniger Leistungsverlust im Vergleich zu früheren Generationen und ermöglicht gleichzeitig eine höhere Ladekapazität ohne Kompromisse bei den Formfaktoren. Traktionsumrichter auf Basis von CoolSiC G2-Geräten können die Reichweite von Elektrofahrzeugen weiter erhöhen. Im Bereich der erneuerbaren Energien ermöglichen mit CoolSiC G2 entwickelte Solarwechselrichter kleinere Größen bei gleichzeitig hoher Leistungsabgabe, was zu geringeren Kosten pro Watt führt.
„Megatrends erfordern neue und effiziente Wege zur Energieerzeugung, -übertragung und -nutzung. Mit dem CoolSiC MOSFET G2 bringt Infineon die Leistung von Siliziumkarbid auf ein neues Niveau“, sagt Dr. Peter Wawer, Divisionsleiter Green Industrial Power bei Infineon. „Diese neue Generation der SiC-Technologie ermöglicht die beschleunigte Entwicklung kostenoptimierterer, kompakterer, zuverlässigerer und hocheffizienterer Systeme, die Energieeinsparungen erzielen und CO reduzieren.“2 für jedes im Feld installierte Watt.“
Laut Infineon bietet die CoolSiC-MOSFET-Trench-Technologie einen optimierten Design-Kompromiss, der eine höhere Effizienz und Zuverlässigkeit im Vergleich zur bisher verfügbaren SiC-MOSFET-Technologie ermöglicht. In Kombination mit der .XT-Gehäusetechnologie erhöht das Unternehmen das Potenzial von Designs auf Basis von CoolSiC G2 mit höherer Wärmeleitfähigkeit, besserer Montagekontrolle und verbesserter Leistung weiter.
Infineon bringt die 750-V-G1-CoolSiC-MOSFET-Produktfamilie auf den Markt
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- Quelle: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/infineon-050324.shtml
