News: Optoelektronik 27. März 2024 Mit der Weiterentwicklung der von der Europäischen Union (EU) finanzierten photonixFAB-Initiative haben die Konsortialpartner den ersten Schritt getan...
Ein Vulkanoktopus (ein kleiner benthischer Oktopus, der in hydrothermalen Quellen endemisch ist) wird in der Nähe von Muskeln und Röhrenwürmern in der Nähe von Tica Vent im Osten gesichtet ...
News: Optoelektronik 15. Juni 2023 X-FAB Silicon Foundries SE aus Tessenderlo, Belgien, ist eine Gießerei für analoge/digitale (Mixed-Signal) integrierte Schaltkreise, mikroelektromechanische Systeme (MEMS) und Spezialhalbleiter.
Beim Schreiben von Notizen geht es nicht nur darum, ein Kästchen auf der To-Do-Liste abzuhaken oder gute Manieren an den Tag zu legen. Es geht darum, den Empfänger zu erfreuen...
Ein 14-jähriger Junge aus Ost-Pattaya wurde für eine Woche zur obligatorischen Drogenrehabilitation in ein Krankenhaus eingeliefert, nachdem er süchtig nach Marihuana und Kratom geworden war...
Der Mobile World Congress (MWC) ist das weltweit größte Treffen von Innovatoren der Mobilfunkbranche, auf dem man die neuesten Informationen zu fortschrittlichen Technologien und Lösungen hören kann....
24 (Nanowerk News) DNA kann das Vorhandensein oder die Veranlagung für eine Reihe von Krankheiten, einschließlich Krebs, signalisieren. Die Fähigkeit zu markieren ...
Dankbarkeit zu zeigen ist nicht etwas, was man nur an den Feiertagen tun sollte. Machen Sie es zu einem Teil Ihres Alltags, Ihr Netzwerk zu erweitern und zu pflegen, mit diesen...
Neue Märkte erfordern neue Ansätze und Taktiken. Mehr als 250 Experten und Branchenführer werden im Januar auf der Inman Connect New York die Bühne betreten, um...
Home > Presse > HKUST-Forscher entwickeln ein neuartiges Integrationsschema für eine effiziente Kopplung zwischen III-V und Silizium Hochleistungs-Si-Wellenleiter-gekoppelte III-V-Photodetektoren...
Von Forschern der Korea University wurde ein neues technisches Papier mit dem Titel „Neuer ternärer Wechselrichter mit Speicherfunktion unter Verwendung von Silizium-Rückkopplungs-Feldeffekttransistoren“ veröffentlicht. Zusammenfassung: In dieser Studie...
Neues Forschungspapier mit dem Titel „Hybrid-Silizium-Photonik-DBR-Laser basierend auf Flip-Chip-Integration von GaSb-Verstärkern und SOI-Wellenleitern im µm-Maßstab“ von Forschern in Tampere...
Der Hersteller von technischen Substraten, Soitec, hat eine neue Fertigungsanlage an seinem Hauptsitz in Bernin, in der Nähe von Grenoble, Frankreich, angekündigt, in erster Linie zur Herstellung neuer Siliziumkarbid (SiC)-Wafer für Elektrofahrzeuge (EV) und Industriemärkte. Die Erweiterung wird auch die 300-mm-Silicon-on-Insulator (SOI)-Aktivitäten von Soitec unterstützen...