Robuster CMOS-kompatibler Sensor mit doppeltem Gate und markierungsfreiem C-reaktivem Protein (CRP), basierend auf Silizium-auf-Isolator(SOI)-Silizium-Nanodraht-Arrays.
Abstract:
„Wir stellen einen CMOS-kompatiblen Sensor mit Doppelgate und markierungsfreiem C-reaktivem Protein (CRP) vor, der auf Silizium-Nanodrähten-Arrays aus Silizium auf Isolator (SOI) basiert. Wir nutzen ein referenzsubtrahiertes Detektionsverfahren und eine super-Nernstsche interne Verstärkung, die durch die Doppelgatestruktur gegeben ist. Wir überwinden das Debye-Screening geladener CRP-Proteine in Lösungen unter Verwendung von Antikörperfragmenten als Fangsonden, wodurch die Gesamtdicke der Fangschicht reduziert wird. Wir demonstrieren die interne Verstärkung durch die pH-Antwort des Sensors im statischen und Echtzeit-Arbeitsmodus. Beim Betrieb in Back-Gate-Konfiguration zeigt der Sensor eine hervorragende Stabilität (20 pA/min im schlimmsten Fall), eine geringe Hysterese (300 mV) und eine große Empfindlichkeit von bis zu 1.2 nA/dec gegenüber CRP-Proteinen im linearen Antwortbereich. Das beschriebene System ist ein ausgezeichneter Kandidat für die kontinuierliche Überwachung von Entzündungs-Biomarkern im Serum oder in der interstitiellen Flüssigkeit.“ Finden Sie die technisches Papier hier. Veröffentlicht 2/2022.
L. Capua et al., „Label-Free C-reactive Protein Si Nanowire FET Sensor Arrays With Super-Nernstian Back-Gate Operation“, in IEEE Transactions on Electron Devices, doi: 10.1109/TED.2022.3144108.
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- Quelle: https://semiengineering.com/label-free-c-reactive-protein-si-nanowire-fet-sensor-arrays-with-super-nernstian-back-gate-operation/