Bài viết kỹ thuật mới có tiêu đề “Đặc tính thực nghiệm của các thiết bị ReRAM sử dụng Bản đồ bộ nhớ và Bản đồ lộ trình động,” từ Đại học Quần đảo Balearic, UC Berkeley, Viện Y tế Quần đảo Balearic, Đại học Quốc tế Hellenic, Đại học Technische Dresden, Đại học Valladolid và Đại học Aristotle của Thessaloniki,
Tóm tắt:
“Memristor được Leon Chua đề xuất vào đầu những năm 1970 như một phần tử điện mới liên kết điện tích với từ thông. Kể từ lần giới thiệu đầu tiên đó, những thiết bị này đã được định vị là thiết bị cơ bản cho các thế hệ thiết bị điện tử sau này. Trong bài báo này, chúng tôi đề xuất một phương pháp mới để nghiên cứu ảnh hưởng của các biến điện đến điện trở của thiết bị và chúng tôi đã áp dụng thành công kỹ thuật này để mô hình hóa hoạt động của cấu trúc ReRAM TiN/Ti/HfO2/W. Để làm như vậy, ban đầu chúng tôi áp dụng kỹ thuật Bản đồ lộ trình động trong trường hợp chung để thu được giá trị gần đúng với phương trình vi phân xác định hoạt động của thiết bị. Điều này được thực hiện bằng cách chọn một biến quan tâm và quan sát sự tiến triển của đạo hàm thời gian của chính nó so với cả giá trị của nó và điện áp đặt vào. Sau đó, theo kỹ thuật này, có thể đạt được cách tiếp cận các phương trình chủ đạo mà không cần đưa ra bất kỳ giả định nào về các cơ chế vật lý cơ bản, bằng cách khớp một hàm với điều này. Chúng tôi đã sử dụng hàm đa thức, cho phép tái tạo chính xác đặc tính điện quan sát được của các thiết bị đo bằng cách tích hợp hệ phương trình vi phân thu được.”
Tìm quyền truy cập mở giấy kỹ thuật ở đây. Xuất bản tháng 2022 năm XNUMX.
Picos, R.; Stavrinides, SG; Al Chawa, MM; de Benito, C.; Dueñas, S.; Castan, H.; Hatzikraniotis, E.; Chua, LO Đặc tính thực nghiệm của các thiết bị ReRAM bằng Bản đồ bộ nhớ và Bản đồ lộ trình động. Điện tử 2022, 11, 1672. https://doi.org/10.3390/electronics11111672
Ghé thăm Công ty Kỹ thuật Bán dẫn Thư viện giấy kỹ thuật tại đây và khám phá thêm nhiều bài báo học thuật về ngành chip.
