Label: nanosheet-FET's

Lage ohmse contactweerstand en hoge aan/uit-verhouding in veldeffecttransistors van overgangsmetaaldichalcogeniden via residuvrije overdracht – natuurnanotechnologie

Nano-technologie 4 september 2023

Liu, C. et al. Tweedimensionale materialen voor computertechnologieën van de volgende generatie. Nat. Nanotechnologie. 15, 545–557 (2020).Artikel CAS Google Scholar Jung, S.-G., Kim, J.-K. &...

Top Nieuws

Etsprocessen leiden tot hogere selectiviteit, kostenbeheersing

Halfgeleider 18 mei 2023

Uiterst selectieve ets komt uit voor next-gen chips

Halfgeleider 21 maart 2022

Geen berichten om weer te geven

Laatste intelligentie