Navitas는 올해 CJS Securities 이벤트에 참가하여 GaN에 대한 13억 달러의 기회뿐만 아니라 이 기술이 제공하는 CO2.6 배출량의 2Gton 감소 가능성을 투자자들에게 강조할 기회를 갖게 된 것을 영광으로 생각합니다.

엘세 구운도, 캘리포니아 (PRWEB) 2021 년 12 월 31 일

나비 타스 반도체(Nasdaq: NVTS), 질화 갈륨 (GaN) 전력집적회로(IC)가 제22회 CJS증권 '새해를 위한 새로운 아이디어' 컨퍼런스에 참가한다고 밝혔다.

올해 행사에서 Navitas의 CEO이자 공동 설립자인 Gene Sheridan은 최신 GaN 전력 IC가 소비자 가전 및 전기 자동차에서 태양광 발전 및 데이터 센터 서버에 이르는 애플리케이션의 효율성을 높여 지속 가능성을 지원할 수 있는 방법에 대해 논의할 예정입니다. 가상 프레젠테이션은 12월 11.40일 오전 XNUMX시 XNUMX분(EDT)에 진행됩니다.

GaN은 기존 실리콘보다 최대 20배 빠르게 실행되고 최대 3배 더 많은 전력과 3배 더 빠른 충전을 가능하게 하는 차세대 반도체 기술로 기존 실리콘 솔루션의 절반 크기와 무게로 최대 40%의 에너지를 절약할 수 있습니다. Navitas의 GaNFast™ 전력 IC는 GaN 전력 및 드라이브, 보호 및 제어를 통합하여 간단하고 작고 빠르고 효율적인 성능을 제공합니다. 130개 이상의 특허가 등록되었거나 출원 중이며 독점 PDK(프로세스 디자인 키트)를 포함한 중요한 영업 비밀이 있는 Navitas는 차세대 GaN 전력 IC에서 다년간 선두를 달리고 있다고 믿습니다.

Navitas의 Gene Sheridan은 "Navitas는 올해 CJS Securities 이벤트에 참여하고 GaN에 대한 13억 달러의 기회뿐만 아니라 이 기술이 제공하는 CO2.6 배출량의 2Gton 감소 가능성을 투자자들에게 강조할 기회를 갖게 된 것을 영광으로 생각합니다."라고 말했습니다. ' 공동 설립자이자 CEO.

프레젠테이션을 라이브 이벤트로 보거나 나중에 녹음으로 보려면 이 버튼을 클릭하십시오. 웹캐스트 링크.

Navitas 정보
나비 타스 반도체 (Nasdaq: NVTS)는 2014년에 설립된 GaN 전력 IC의 업계 리더입니다. GaN 전력 IC는 GaN 전력을 구동, 제어 및 보호와 통합하여 모바일, 소비자, 기업, eMobility를 위한 더 빠른 충전, 더 높은 전력 밀도 및 더 큰 에너지 절약을 가능하게 합니다. 그리고 새로운 에너지 시장. 130개 이상의 Navitas 특허가 발행되었거나 출원 중이며 30천만 개 이상의 GaNFast 전력 IC가 출하되었으며 GaN 필드 오류는 보고되지 않았습니다. 나비타스는 나스닥 개장을 알렸다. ll을 시작으로 20년 2021월 1일 Nasdaq에서 거래를 시작했으며 기업 가치는 320억 달러 이상, 총 자본 증액은 XNUMX억 XNUMX만 달러가 넘습니다.

Navitas Semiconductor, GaNFast 및 Navitas 로고는 Navitas Semiconductor Limited의 상표 또는 등록 상표입니다. 기타 모든 브랜드, 제품 이름 및 마크는 해당 소유자의 제품 또는 서비스를 식별하는 데 사용되는 상표 또는 등록 상표 일 수 있습니다.

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