ニュース： マイクロエレクトロニクス
２０２8年２月2024日
米国カリフォルニア州サンタバーバラ近郊のゴレタにあるトランスフォーム社は、ロングビーチで開催される応用パワーエレクトロニクス会議（APEC 1813）のブース2024で、広帯域（低出力から高出力まで）窒化ガリウム（GaN）電力変換ソリューションを展示すると発表した。 、米国カリフォルニア州 (25 月 29 ～ XNUMX 日)、シルバーパートナーです。
今年、Transphorm は、同社が主張する初の 1200V GaN-on-sapphire デバイス モデルや優れた短絡耐性などのイノベーションを強調しています。その多用途の SuperGaN デバイス ポートフォリオも強調されており、最近発表された TO-247-4L、TOLL、TOLT などのパッケージを含め、さまざまなヒートシンク構成を必要とする高出力システム向けの柔軟なパッケージングの選択肢が完成します。最後に、現場でのデモンストレーションでは、高性能無停電双方向電源から破壊的な太陽エネルギーのマイクロインバーター、二輪および三輪の電気自動車システムに至るまで、幅広い電力システムにおける同社の技術を紹介します。
Transphorm は、自社の GaN ソリューションが競合するオプション (エンハンスメント モードの GaN、SiC、シリコン) を上回る性能を発揮できるのは、将来性のある SuperGaN プラットフォームによるものであると述べています。同社はノーマリーオフの空乏モード GaN テクノロジーをカスコードで製造しています。この設計構成により、プラットフォーム固有の現象が最大限の可能性を発揮できるようになると言われています。これらの現象には、二次元電子ガス (2DEG) GaN 高電子移動度トランジスタ (HEMT) チャネルと SiO が含まれます。2/Si ゲート インターフェイス (Transphorm の GaN HEMT と組み合わせた低電圧 MOSFET によって作成)。これらの利点を概説した同社が最近リリースしたホワイトペーパーは、次のサイトからダウンロードできます。 https://bit.ly/dmodeadvwp.
Transphorm は、最も広範囲の電力アプリケーションにわたって、最大範囲の電力変換要件 (45W から 10+kW) をサポートすると主張しています。同社の FET ポートフォリオには、650V および 900V デバイスが含まれており、開発中の 1200V デバイスも含まれています。これらのデバイスは JEDEC および AEC-Q101 の認定を受けており、電源アダプタやコンピュータ PSU から広範な産業用 UPS や電気自動車モビリティ システムまで最適なソリューションになると同社は考えています。 APECで展示される顧客製品の組み合わせは、同社のSuperGaNプラットフォームの幅広い使いやすさを強調している、と同社は付け加えた。
APEC では、Transphorm は次のプレゼンテーションを行います。
- 26 月 17 日 — 専門教育セミナー (S8) 午前 30 時 XNUMX 分: '高出力GaNデバイスとアプリケーションCTO オフィスの技術スタッフ、Davide Bisi 氏による。ビジネス開発およびマーケティング上級副社長、Philip Zuk 氏。そして世界販売およびFAE担当副社長のTushar Dhayagude氏。
- 27月2日 — 午後15時XNUMX分からの出展者セミナー: 'SuperGaN の違い: ノーマリオフ d モード GaN パワー半導体の利点技術セールスマネージャーのジェニー・コルテス氏による。
- 28 月 16.2 日 — 業界セッション (IS1) 午後 55 時 XNUMX 分: 'マイクロインバーターおよびモータードライブ用の GaN 4 象限スイッチ技術」 CTO オフィスの技術スタッフ、Geetak Gupta 氏による。
- 29 月 22.6 日 — 業界セッション (IS10) 午前 55 時 XNUMX 分: '15μsの短絡耐性を備えた5mΩGaNデバイス」 CTO オフィスの技術スタッフのメンバー、Davide Bisi PhD によるコメント。
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- 情報源： https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/transphorm-080224.shtml
