El Equipo WPI-MANA Demuestra La Nueva Memoria No Volátil Asistida Por Laser

– El equipo WPI-MANA demuestra lanuevamemorianovolátilasistidaporláserbasadaenlasheteroestructuras2D van-der-Waals

つくば、Japón、23 de marzo de 2021 / PRNewswire / — UnequipodeinvestigacióndeWPI-MANAhademostrado el dispositivodememorianovolátilasistidaporláserbasadoenlasheteroestructurasde dosdimensionsvan-der-Waals。

（画像： https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M105739/202103102063/_prw_PI1fl_sdz7zZcv.jpg)

LosInvestigadoreshandiseñadoeinvestigadountransistorde efecto de campo de disulfuro de renio（ReS2）de pocas capas que cuenta con una puerta flotante local（FG）de grafenomonocapayqueestáseparadopormediode unacapadetúneldelgadadenitroボロ六角形（h-BN）、applicándoseadispositivosdememoriano-volátil（NVM）。

Los dispositivos FG-NVM basados enheteroestructuras 2D de van-der-Waals（capasatómicamentefinasqueademásseunenentresípormediode interacciones van-der-Waalsmuydébiles）han sido objetodeunaatencióndestacada funcionamientodesintonizaciónydetipomultibitbajoluzláserpodríapasarasercomponentesimportantesdelaelectrónicadigitalfuturaylas aplicaciones de memoriamultifuncional。

Elequipollevóacabolademostracióndelfuncionamientodela memoria de tipomultinivelatravésdeunpulsoláserde532nmy un acoplamiento depulsodepuertaelectrostática。 La solidez y estabilidad del dispositivo sintonizable ReS2 / h-BN /FG-grafenoasistidoporláserhademostradosupotencial para conseguir elalmacenamientodeinformacióndetipomultibit

El funcionamiento de lamemoriaasistidaporlásersirveparaotorgarun nuevo grado de libertad dirigido alosdispositivosoptoelectrónicosmultifuncionales、que cuentan con una funcionalidad adicional para conelaccesomultinivelconcomunicacióndetipo。のような luzláserpuedeviajarpormedio del espacio libre sin que esta pierda potencia、se consigue llevar a cabo el funcionamiento de dispositivosdetipooptoelectrónicosadistancia、con baja potencia y que presentan unanecesidaddemanteminientomínima。

LosInvestigadores de WPI-MANA han utilizado ReS2 multicapa de banda prohibida directa、ya que el material sirve para satisfacer varios de los requisitos、como por ejemplo el material de canal paradispositivoselsorbónicos、ytambiénesunacapa fuerte asíútilenelfuncionamientode lasaplicacionesdetipooptoelectrónicasayudadasporluz。

El dispositivo muestra la funcionalidad deunamemoriaelectrónicaconvencional、yademássirveparallevar a cabo elalmacenamientodelainformacióndeseñalesexcitadasporpulsosláserparaelprocesamientodeinformacióncuánticaylógica。

Tambiénhacefrenteala necesidad de disponerdeuncontrolópticoydebajoconsumodelaoperacióndetipomultiniveldentro de los dispositivos NVM、ademásderealizarloen undispositivooptoelectrónicoNVMquepueda distinguir laslongitudes de onda ladeteccióndelcolorenlasimágenesdigitales。

Estainvestigaciónsehallevadoa cabo por medio de 和歌山豊（líderdelgrupo、Quantum Device Engineering Group、WPI-MANA、NIMS）y suscolaboradores。

「2Dファンデルワールス数層ReS2 / h-BN /グラフェンヘテロ構造に基づくレーザー支援マルチレベル不揮発性メモリデバイス」
バブル・ムカルジー et al。、Advanced Functional Materials（25 de agosto de 2020）
https://doi.org/10.1002/adfm.202001688

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