抵抗変化型ランダム アクセス メモリ (RRAM) は、外部電源がない場合でも、低電力での使用と安定した長期保存が約束されているため、非常に魅力的な RAM です。これらの機能を組み込んだ RRAM セルを作成するための適切な材料を見つけることは簡単ではありませんが、最近研究者は酸化ガリウム (III) (Ga) に注力しています。2O3）、 とともに [Li-Wen Wang] と同僚による研究論文 in ナノマテリアル 彼らは、アルミニウム - 酸化ガリウム - 酸化グラフェンのスタックをベースにした 2 ビット セル (MLC) について説明しており、100 サイクル以上の耐久性をテストしました。
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Al/GO/Ga2O3/ITO/ガラスデバイスのフィラメントモデル。 (クレジット: Li-Wen Wang 他、2023)
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Al/GO/Ga2O3/ITO/ガラスデバイスのフィラメントモデル。 (クレジット: Li-Wen Wang 他、2023)
RRAM セル内で酸化ガリウムが機能する仕組みは、酸素欠損によって形成される導電性フィラメントを形成することです。これらの空孔とその結果生じる導電パスは、酸化グラフェン (GO) 層が酸素イオン源として機能し、上部 (Al) 電極と下部 (ITO) 電極を介して外部から印加される電流によって制御されます。
関連する研究では、[Zhengchun Yang] とその同僚が次のように述べています。 2020の記事 in セラミックインターナショナル 彼らは、圧力センサーと電源の両方として機能する圧電セラミック素子を備えた酸化ガリウム(III) RRAM データストレージから構成されるデバイスをどのように構築したかを説明しました。ピエゾ素子によって生成された電流は、メモリデバイスに電力を供給し、測定値を記録するために使用されます。
それから、もう少しワイルドなものもあります 「FlexRAM」のアイデア [Ruizhi Yuan] とその同僚が投球 先端材料 彼らは、フレキシブルメモリデバイスを作成するために、「液体ガリウムベースの金属」用のポケットを備えた「EcoFlex」と呼ばれるフレキシブルポリマーで構成されるデバイスをどのように作成したかについて説明しています。ミリメートルサイズの構造では、たとえ 関連するPR記事 in IEEEスペクトラム 息も詰まる推測にかなり熱心に取り組んでいます。
