マサチューセッツ工科大学 (MIT) の研究者らにより、「室温におけるファンデルワールス強磁性体の電流誘起スイッチング」というタイトルの技術論文が発表されました。
要約：
「ファンデルワールス磁性材料（vdWMM）における創発磁性の最近の発見により、エネルギー効率の高い計算のためのスピントロニクスデバイスを開発するための材料空間が広がりました。 vdWMM の発見にはかなりの進歩が見られましたが、室温での vdWMM の不揮発性で決定的なスイッチングのための解決策は欠けており、商用スピントロニクス デバイスへの採用の見通しは限られています。今回我々は、室温におけるvdW磁性材料における電流制御による不揮発性の決定論的磁化スイッチングの最初の実証を報告する。我々は、Pt スピンホール層を使用して、最大 3 K の PMA vdW 強磁性体 Fe2GaTe320 のスピン軌道トルク (SOT) スイッチングを、J という低いスイッチング電流密度で達成しました。sw = 1.69×106 cm-2 室温で。また、Fe3GaTe2/Pt 二重層システムのアンチダンピングのような SOT 効率を ξ と定量的に推定しました。DL = 0:093、第 XNUMX 高調波ホール電圧測定手法を使用。これらの結果は、vdW磁性材料をスケーラブルでエネルギー効率の高いスピントロニクスデバイスの開発における実行可能な選択肢にする上で重要なステップとなる。」
見つける テクニカルペーパーはこちら。 2024 年 XNUMX 月発行。MIT の関連ニュース記事とビデオは次のとおりです。 こちら.
Kajale、SN、Nguyen、T.、Chao、CA 他。室温でのファンデルワールス強磁性体の電流誘起スイッチング。 Nat Commun 15、1485 (2024)。 https://doi.org/10.1038/s41467-024-45586-4
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- 情報源： https://semiengineering.com/ultrathin-vdw-ferromagnet-at-room-temperature-mit/
