「RowHammer を根本的に理解して解決する」というタイトルの新しい技術論文が、ETH チューリッヒの研究者によって公開されました。

要約：
「ほとんどすべてのコンピューティング システムでメイン メモリとして使用されている最新の DRAM (ダイナミック ランダム メモリ アクセス) チップを悩ませている RowHammer 脆弱性に関する最近の進展と今後の方向性の概要を説明します。

RowHammer は、実際の DRAM チップの行に繰り返しアクセスすると、物理的に近くの行でビット反転 (データ破損) が発生する現象です。 2014 年の最初の RowHammer 論文以降の多くの研究が示しているように、この現象は深刻で広範なシステム セキュリティの脆弱性につながります。 最近の RowHammer 現象の分析では、DRAM テクノロジのスケーリングが進むにつれて問題がさらに悪化していることが明らかになりました。新しい DRAM チップは、デバイスおよび回路レベルで RowHammer に対して根本的に脆弱です。 RowHammer をより深く分析すると、脆弱性は環境条件 (温度と電圧)、プロセスの変動、保存されたデータ パターン、メモリ アクセス パターン、メモリ制御ポリシーなど、多くの変数に敏感であるため、問題には多くの側面があることがわかります。 そのため、RowHammer に対して完全に安全で非常に効率的な (つまり、パフォーマンス、エネルギー、面積のオーバーヘッドが低い) 保護メカニズムを考案することは困難であることが証明されており、DRAM メーカーによる試みにはセキュリティ保証がないことが示されています。

RowHammer の悪用、理解、および軽減に関する最近のさまざまな開発を検討した後、RowHammer の問題を解決するために重要であると思われる将来の方向性について説明します。 研究開発の取り組みを拡大するための 1 つの主な方向性について、次のことを主張します。システムとメモリの連携による、非常に効率的で完全に安全なソリューションの開発」

見つける テクニカルペーパーはこちら. 2022 年 XNUMX 月公開。

著者: Onur Mutlu、Ataberk Olgun、A. Giray Yağlıkçı。 arXiv:2211.07613v1.

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• 情報源： https://semiengineering.com/rowhammer-recent-developments-future-directions-eth-zurich/