ニュース： マイクロエレクトロニクス
２０２5年２月2024日
ドイツ、ミュンヘンのインフィニオン テクノロジーズ AG は、TRENCHSTOP 5 高速スイッチング絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) と CoolSiC ショットキー ダイオードを備えた新しい CoolSiC ハイブリッド ディスクリートが VMAX (中国の新エネルギー向けパワー エレクトロニクスおよびモーター ドライブのメーカー) に選ばれたと発表しました。車両）の次世代 6.6kW OBC/DC-DC 車載充電器向け。インフィニオンのコンポーネントは D で提供されます2PAK パッケージを使用し、超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT とハーフ定格フリーホイール SiC ショットキー バリア ダイオードを組み合わせて、ハード スイッチング トポロジとソフト スイッチング トポロジの両方で最適なコストパフォーマンス比を実現します。パワー デバイスは、そのパフォーマンス、最適化された電力密度および品質により、VMAX のオンボード充電器に適しています。
写真: D型にTRENCHSTOP 5高速スイッチングIGBTとCoolSiCショットキーダイオードを搭載したインフィニオンの新しいCoolSiCハイブリッドディスクリート2PAK パッケージは、TRENCHSTOP 5 IGBT と半分の定格のフリーホイール SiC ショットキー バリア ダイオードを組み合わせています。
VMAXの製品ラインディレクター兼チーフエンジニアR&D部門のJinzhu Xu氏は、「当社の次世代OBCにインフィニオンのCoolSiCハイブリッドデバイスを選択し、より高い信頼性、安定性、向上したパフォーマンス、電力密度を実現できることを誇りに思います」と述べています。 「これにより、インフィニオンとのすでに強固なパートナーシップがさらに深まり、緊密な連携を通じて技術応用のイノベーションを推進し、協力して新エネルギー車の開発の繁栄を推進していきます。」と彼は付け加えました。
インフィニオンの車載用高電圧チップおよびディスクリート担当副社長、ロバート・ハーマン氏は次のように述べています。
インフィニオンによると、高速ハードスイッチングのTRENCHSTOP 5 650V IGBTとゼロ逆回復CoolSiCショットキーダイオードを組み合わせたハイブリッドディスクリートは、50kHzを超えるスイッチング速度でのスイッチング損失が非常に低いというメリットがあるという。このため、このデバイスは高出力電気自動車充電システムに適したオプションになります。さらに、堅牢な第 XNUMX 世代 CoolSiC ショットキー ダイオードにより、サージ電流に対する堅牢性が向上し、信頼性が最大化されます。さらにSiCダイオードの拡散はんだ付けにより熱抵抗(Rth) を小さなチップ サイズ用のパッケージに適用し、その結果、電力スイッチング能力が向上します。これらの機能により、最適なシステムの信頼性と寿命が実現し、自動車業界の厳しい要件を満たせるとインフィニオンは述べています。既存の設計との互換性をさらに最大限に高めるために、この製品は広く使用されている D 規格に基づくピン対ピンの互換性のある設計も備えています。2PAKパッケージ。
CoolSiC ショットキー ダイオード G5 と同梱された TRENCHSTOP 5 高速スイッチング IGBT を備えた CoolSiC ハイブリッド ディスクリートが現在入手可能です。
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- 情報源： https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/infineon-050224.shtml
