News: Mikroelektronik
14. MÄRZ 2024
Worksport Ltd aus West Seneca, NY, USA (ein Hersteller von Automobilzubehör, der saubere Energielösungen entwickelt) hat einen strategischen Schritt zur Integration von Galliumnitrid (GaN) in seine kommenden Produktangebote angekündigt.
Motiviert durch das Potenzial von GaN, im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Lösungen überlegene Leistung, höhere Effizienz sowie geringere Größe und Gewicht zu bieten, ist es Worksports Ziel, GaN durch verschiedene Partnerschaften, darunter eine bereits angekündigte, in zukünftige Versionen seiner COR Mobile Battery Generator Systems zu integrieren Februar mit dem GaN-Halbleiterhersteller Infineon Technologies AG aus München.
Im Vergleich zu Silizium weisen GaN-basierte Leistungsschalter geringere Gesamtkapazitäten auf, insbesondere wenn man bedenkt, dass sie nicht über eine Anti-Parallel-Body-Diode verfügen. GaN-Schalter ermöglichen daher schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leistungsverluste. GaN hält auch höheren Temperaturen stand als Silizium. Der Einsatz von GaN kann daher die Effizienz, das Wärmemanagement und die Leistung steigern. Da GaN außerdem über eine große Bandlückenenergie verfügt, können Geräte viel höheren Spannungen standhalten als Geräte auf Siliziumbasis und gleichzeitig kleinere Gehäuse verwenden. Dies kann zu Leistungswandlern mit einer viel höheren Leistungsdichte führen, als sie typischerweise bei siliziumbasierten Schaltern zu finden ist.
Worksport geht davon aus, dass seine zukünftigen Produkte durch die Nutzung der GaN-Technologie eine unübertroffene Leistung liefern und gleichzeitig weniger Energie verbrauchen werden, was aufgrund der effizienteren Stromwandler zu einer längeren Batterielebensdauer führt. Aufgrund der höheren Effizienz von GaN strahlen GaN-basierte Leistungswandler außerdem weniger Wärme ab und haben einen geringeren Kühlbedarf sowie einen geringeren Bedarf an Kühlventilatoren, was das Unternehmen zu der Annahme veranlasst, dass dadurch eine kompaktere Größe für seine Leistungselektronik erzielt werden könnte. Darüber hinaus ist Worksport davon überzeugt, dass durch die Verwendung von GaN zuverlässigere und langlebigere Geräte hergestellt werden können und gleichzeitig das Risiko von Überhitzung und Leistungseinbußen verringert wird.
Worksport nutzt GaN-Leistungstransistoren von Infineon in Umrichtern seiner tragbaren Kraftwerke
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- Quelle: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/worksport-140324.shtml
