News: Mikroelektronik
21 Februar 2024
Das Galliumnitrid (GaN)-Leistungs-IC- und Siliziumkarbid (SiC)-Technologieunternehmen Navitas Semiconductor Corp aus Torrance, Kalifornien, USA, hat angekündigt, dass seine GaNFast-Leistungs-ICs das 25-W-„Super-Fast Charging“ (SFC) von Samsung für das neue, KI-gestützte Modell antreiben Galaxy S24-Smartphone.
Zu den Flaggschiff-Hardwarespezifikationen gehören ein dynamischer AMOLED 2340X-Bildschirm mit 1080 x 2 (FHD+) und 120 Hz, außerdem bietet das Galaxy S24 innovative und praktische KI-Funktionen. Galaxy AI-Funktionen wie Live-Übersetzung, Chat-Assistent und das neue „Circle to Search“ mit Google.
Das 25-W-GaNFast-Gerät lädt den leistungsstarken 50-mAh-Akku in nur 4000 Minuten zu 30 % auf, während die USB PD 3.0 (Typ-C)-Spezifikation es mit anderen Samsung-Produkten kompatibel macht, darunter Galaxy Buds2 Audio, Galaxy Z Fold5, Galaxy Flip und Galaxy A23.
Das 25-W-Netzteil wurde unter Berücksichtigung der Nachhaltigkeit entwickelt und bietet im Ruhemodus eine Reduzierung des Stromverbrauchs um 75 %. Die GaNFast-Technologie von Navitas wird in einer Hochfrequenz-Quasi-Resonanz-Topologie (HFQR) mit 150 kHz eingesetzt – dreimal schneller als Standard-Siliziumdesigns – und ermöglicht eine Größenverkleinerung von 3 % im Vergleich zu herkömmlichen Ladegerätdesigns.
„Durch den Einsatz von GaNFast-ICs konnte Samsung einen ultrakompakten, leichten und effizienten 25-W-Adapter entwickeln, der das neue Galaxy S24 und eine Vielzahl anderer Telefone und Zubehörteile der Samsung-Reihe schnell aufladen kann“, bemerkt David Carroll, Senior VP Worldwide Verkäufe für Navitas.
Das GaNFast 25-W-Schnellladegerät von Navitas wurde für Samsungs Flaggschiff Galaxy S23 übernommen
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- Quelle: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/navitas-210224.shtml
