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Infineon reicht in den USA Klage gegen Innoscience ein

Datum:

14. MÄRZ 2024

Über ihre Tochtergesellschaft Infineon Technologies Austria AG hat die Infineon Technologies AG aus München, Deutschland, beim Bezirksgericht des Northern District of California eine Klage gegen das Galliumnitrid-auf-Silizium (GaN-on-Si)-Energielösungsunternehmen Innoscience (Zhuhai) eingereicht. Technology Co Ltd aus Suzhou, China, und Innoscience America Inc und Tochtergesellschaften. Infineon beantragt eine einstweilige Verfügung wegen Verletzung eines US-Patents im Zusammenhang mit der Galliumnitrid-Technologie (GaN) von Infineon. Die Patentansprüche decken Kernaspekte von GaN-Leistungshalbleitern ab und umfassen Innovationen, die die Zuverlässigkeit und Leistung der proprietären GaN-Geräte von Infineon ermöglichen.

Infineon behauptet, dass Innoscience das Patent verletzt, indem es verschiedene Produkte herstellt, verwendet, verkauft, zum Verkauf anbietet und/oder in die USA importiert, darunter GaN-Transistoren für zahlreiche Anwendungen in den Bereichen Automobil, Rechenzentren, Solar, Motorantriebe, Unterhaltungselektronik und Ähnliches Produkte für Automobil-, Industrie- und Gewerbeanwendungen.

„Die Produktion von Galliumnitrid-Leistungstransistoren erfordert völlig neue Halbleiterdesigns und -prozesse“, sagt Adam White, Präsident der Power & Sensor Systems Division von Infineon. „Wir schützen unser geistiges Eigentum konsequent und handeln damit im Interesse aller Kunden und Endnutzer“, fügt er hinzu. Infineon gibt an, seit Jahrzehnten in Forschung und Entwicklung, Produktentwicklung und Fertigungskompetenz im Zusammenhang mit der GaN-Technologie zu investieren und weiterhin sein geistiges Eigentum zu verteidigen und seine Investitionen zu schützen.

Am 24. Oktober 2023 gab Infineon den Abschluss der Übernahme von GaN Systems Inc aus Ottawa, Ontario, Kanada (einem Fabless-Entwickler von Galliumnitrid-basierten Leistungsschalthalbleitern für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen) bekannt und baute damit seine Position im Bereich Leistungshalbleiter aus. Das GaN-Patentportfolio von Infineon umfasst rund 350 Patentfamilien. Marktanalysten gehen davon aus, dass der GaN-Umsatz für Energieanwendungen bis 49 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 2 % auf etwa 2028 Milliarden US-Dollar steigen wird (laut „Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023“ des Marktforschungsunternehmens Yole). .

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Stichworte: Infineon GaN-auf-Si

Besuchen Sie: www.infineon.com

Besuchen Sie: www.innoscience.com

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