Hiệu ứng Hall lớp và độ cong quả mọng ẩn trong chất cách điện phản sắt từ

Trang Chủ > Ấn Bản > Hiệu ứng lớp Hall và độ cong Berry ẩn trong chất cách điện chống sắt từ

Sơ đồ của hiệu ứng Hall lớp (a) và độ cong Berry ẩn bị khóa lớp (b) trong chất cách điện phản từ hai lớp. Trong hiệu ứng Hall lớp, các điện tử bị lệch một cách tự nhiên về các phía đối diện ở các lớp khác nhau (các đường cong hình mũi tên màu đỏ và xanh lam) do độ cong Berry ẩn bị khóa lớp. (c) - (d) Khi đặt một điện trường vuông góc (mũi tên lục lam), hệ thống hiển thị các hiệu ứng Hall dị thường có khóa lớp có thể điều chỉnh được theo hướng điện trường. Các mũi tên màu vàng chỉ định các cấu hình phản sắt từ. Các mũi tên màu xanh lá cây biểu thị điện trường trong mặt phẳng Ey cho phép đo Hall.
TÍN DỤNG
© Science China Press

Tóm tắt:
Nghiên cứu này được dẫn đầu bởi Giáo sư Hai-Zhou Lu và Giáo sư Qihang Liu (Viện Khoa học và Kỹ thuật Lượng tử Thâm Quyến và Khoa Vật lý, Đại học Khoa học và Công nghệ Miền Nam).

Hiệu ứng lớp Hall và độ cong Berry ẩn trong chất cách điện chống sắt từ

Bắc Kinh, Trung Quốc | Đăng vào ngày 30 tháng 2022 năm XNUMX

Mỗi khi một hiệu ứng Hall mới được phát hiện, một làn sóng nghiên cứu sẽ được truyền cảm hứng. Thí nghiệm đầu tiên về một loại hiệu ứng Hall mới, hiệu ứng lớp Hall, đã được báo cáo bởi nhóm của Xu tại Đại học Harvard. Trong hiệu ứng Hall lớp, các electron từ các lớp trên cùng và dưới cùng bị lệch sang các hướng ngược nhau và được đo bằng cách đặt một điện trường ngoài mặt phẳng để phá vỡ đối xứng PT [xem Hình (c) và (d) bên dưới], trong đó P và T lần lượt đại diện cho đối xứng nghịch đảo và đối xứng đảo ngược thời gian. Các tác giả đề xuất một bức tranh phổ quát về độ cong Berry ẩn cho hiệu ứng Hall [Hình (b)]. Chúng chỉ ra rằng sự tồn tại của hiệu ứng Hall lớp không liên quan đến điện trường [Hình (a)], tương tự như hiệu ứng Hall thung lũng / spin. Do đó, họ cũng đề xuất một cách tiếp cận thay thế, tức là phép đo phi địa phương, để xác định hiệu ứng lớp Hall mà không cần áp dụng điện trường.

Mặt khác, các tác giả đã tiết lộ ba đặc điểm riêng biệt để tăng cường hiệu ứng lớp Hall trong chất cách điện chống sắt từ đối xứng PT. Hơn nữa, các tác giả đề xuất nhiều ứng cử viên vật liệu hơn cho hiệu ứng lớp Hall, điều này sẽ truyền cảm hứng cho những khám phá thử nghiệm hơn. Ngoài ra, vật lý ẩn có thể được tổng quát hóa thành nhiều bậc tự do, bao gồm sự phân cực spin, quỹ đạo và hình tròn trong tương lai.

####

Để biết thêm thông tin, xin vui lòng bấm vào tại đây

Liên hệ:
Phương tiện truyền thông Liên hệ

Bắc Yến
Nhà xuất bản Khoa học Trung Quốc

Liên hệ với chuyên gia

Hải Châu Lư
Viện Khoa học và Kỹ thuật Lượng tử Thâm Quyến và Khoa Vật lý, Đại học Khoa học và Công nghệ Miền Nam (SUSTech)

Nếu bạn có một bình luận, xin vui lòng Liên hệ chúng tôi.

Các tổ chức phát hành tin tức, không phải 7th Wave, Inc. hay Nanotech Now, chỉ chịu trách nhiệm về tính chính xác của nội dung.

Bookmark: