Bài viết kỹ thuật có tiêu đề “Đặc tính điện của WSe đa cổng₂ /MoS₂ tiếp xúc dị vòng van der Waals” được công bố bởi các nhà nghiên cứu tại Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf (HZDR), TU Dresden, Viện Khoa học Vật liệu Quốc gia (Nhật Bản) và NaMLab gGmbH.

Tóm tắt

“Việc xếp chồng theo chiều dọc các vật liệu hai chiều (2D) khác nhau vào cấu trúc dị thể van der Waals khai thác các đặc tính của từng vật liệu cũng như sự liên kết giữa các lớp của chúng, từ đó thể hiện các đặc tính điện và quang độc đáo. Ở đây, chúng tôi nghiên cứu và điều tra một hệ thống bao gồm hoàn toàn các vật liệu 2D khác nhau để triển khai các thiết bị điện tử dựa trên sự vận chuyển đường hầm cơ học lượng tử từ dải này sang dải khác như điốt đường hầm và bóng bán dẫn hiệu ứng trường đường hầm. Chúng tôi đã chế tạo và mô tả các dị vòng van der Waals dựa trên các lớp bán dẫn của WSe₂ và MoS₂ bằng cách sử dụng các cấu hình cổng khác nhau để phân tích đặc tính vận chuyển của điểm nối. Chúng tôi thấy rằng môi trường điện môi của thiết bị rất quan trọng để đạt được sự vận chuyển đường hầm qua điểm dị thể bằng cách thay thế các chất điện môi oxit dày bằng các lớp mỏng lục giác-boronnitride. Với sự trợ giúp của các cổng trên cùng bổ sung được triển khai ở các vùng khác nhau của thiết bị dị vòng của chúng tôi, người ta thấy rằng các đặc tính đào hầm cũng như các rào cản Schottky tại các bề mặt tiếp xúc có thể được điều chỉnh một cách hiệu quả bằng cách sử dụng các lớp graphene làm vật liệu tiếp xúc trung gian.”

Tìm kỹ thuật giấy ở đây. Xuất bản tháng 2024 năm XNUMX.

Chava, P., Kateel, V., Watanabe, K. và cộng sự. Đặc tính điện của các dị vòng WSe2/MoS2 van der Waals đa cổng. Khoa học đại diện 14, 5813 (2024). https://doi.org/10.1038/s41598-024-56455-x.

Đọc liên quan
Vật liệu bán dẫn 2D tiến tới sản xuất
TMD cải thiện tính di động của điện tử trong các kênh rất mỏng, nhưng việc sản xuất số lượng lớn vẫn còn nhiều thách thức.

• Phân phối nội dung và PR được hỗ trợ bởi SEO. Được khuếch đại ngay hôm nay.
• PlatoData.Network Vertical Generative Ai. Trao quyền cho chính mình. Truy cập Tại đây.
• PlatoAiStream. Thông minh Web3. Kiến thức khuếch đại. Truy cập Tại đây.
• Trung tâmESG. Than đá, công nghệ sạch, Năng lượng, Môi trường Hệ mặt trời, Quản lý chất thải. Truy cập Tại đây.
• PlatoSức khỏe. Tình báo thử nghiệm lâm sàng và công nghệ sinh học. Truy cập Tại đây.
• nguồn: https://semiengineering.com/band-to-band-tunneling-and-negative-differential-resistance-in-heterojunctions-built-entirely-using-2d-materials/