IMEC - Plato Veri Zekası

2D Yarı İletken FET için Raporlama ve Kıyaslama Süreci

YarıiletkenTemmuz 29, 2022

NIST, Purdue Üniversitesi, UCLA, Theiss Research, Peking...

İnceleme, İmalat, Test Haftası

YarıiletkenTemmuz 1, 2022

Samsung, Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) adını verdiği 3nm işlem düğümünün ilk üretimini duyurdu. Birinci nesil 3nm işlemi, güç tüketimini şu şekilde azaltabilir:

VLSI'da Imec Gömülü Güç Rayı ve Arkadan Güç Teslimatı

YarıiletkenHaziran 28, 2022

VLSI Teknoloji Sempozyumu'nda Imec, Buried Power Rails (BPR) ve Backside Power Delivery (BSPD) üzerine “Scaled FinFETs Connected...

Yüksek NA EUV Göründüğünden Daha Yakın Olabilir

YarıiletkenHaziran 16, 2022

High-NA EUV, daha da yüksek transistör sayılarına sahip çipler için zemin hazırlayarak Angstrom seviyesine kadar ölçeklendirmeyi mümkün kılmak için yolda...

Faraday Future In Beverly Hills, Sysco Ordering 800 Electric Trucks — EV News Today

temiz teknolojiMayıs 22, 2022

Beverly Hills gets a first, a Faraday Future Flagship Brand Experience Center. Sysco plans to purchase 800 battery electric Freightliner eCascadias. For those and...

Yeni Nesil Yongalar İçin Son Derece Seçici Etch Çıktı

Yarıiletken21 Mart, 2022

3B yapıların üretilmesi, neyin kaldırıldığı ve neyin bir gofret üzerinde kaldığı konusunda atomik düzeyde kontrol gerektirecektir.

Sonrası Yeni Nesil Yongalar İçin Son Derece Seçici Etch Çıktı İlk çıktı Yarıiletken Mühendisliği.

Bakır Ara Bağlantıları 2nm'ye Uzatma

Yarıiletken17 Mart, 2022

Düşük dirençli yollardan gömülü güç raylarına kadar, 2 nm çipleri kullanmak için birden fazla strateji gerekir.

Sonrası Bakır Ara Bağlantıları 2nm'ye Uzatma İlk çıktı Yarıiletken Mühendisliği.

Geleceğin heterojen elektronikleri için 2D malzemeler

Yarıiletken16 Mart, 2022

Gelecekteki Ölçeklendirme için 2D Malzemelerin Potansiyeli, Moore'dan Daha Fazlası, Fotonik Entegre Devreler, Nöromorfik Hesaplama ve Kuantum Hesaplama.

Sonrası Geleceğin heterojen elektronikleri için 2D malzemeler İlk çıktı Yarıiletken Mühendisliği.