Um artigo técnico intitulado “Caracterização elétrica de WSe multi-gate2 / MoS2 van der Waals heterojunctions” foi publicado por pesquisadores da Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf (HZDR), TU Dresden, Instituto Nacional de Ciência de Materiais (Japão) e NaMLab gGmbH.
Sumário
“O empilhamento vertical de diferentes materiais bidimensionais (2D) em heteroestruturas de van der Waals explora as propriedades de materiais individuais, bem como seu acoplamento entre camadas, exibindo assim propriedades elétricas e ópticas únicas. Aqui, estudamos e investigamos um sistema que consiste inteiramente em diferentes materiais 2D para a implementação de dispositivos eletrônicos baseados em transporte de tunelamento banda a banda da mecânica quântica, como diodos de túnel e transistores de efeito de campo de túnel. Fabricamos e caracterizamos heterojunções de van der Waals baseadas em camadas semicondutoras de WSe2 e MoS2 empregando diferentes configurações de portas para analisar as propriedades de transporte da junção. Descobrimos que o ambiente dielétrico do dispositivo é crucial para alcançar o transporte de tunelamento através da heterojunção, substituindo dielétricos de óxido espesso por finas camadas de nitreto de boro hexagonal. Com a ajuda de portas superiores adicionais implementadas em diferentes regiões do nosso dispositivo de heterojunção, verificou-se que as propriedades de tunelamento, bem como as barreiras Schottky nas interfaces de contato, poderiam ser ajustadas de forma eficiente usando camadas de grafeno como material de contato intermediário.”
Encontre o técnico papel aqui. Publicado em março de 2024.
Chava, P., Kateel, V., Watanabe, K. et al. Caracterização elétrica de heterojunções WSe2/MoS2 van der Waals multi-gateadas. Sci Rep 14, 5813 (2024). https://doi.org/10.1038/s41598-024-56455-x.
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- Fonte: https://semiengineering.com/band-to-band-tunneling-and-negative-differential-resistance-in-heterojunctions-built-entirely-using-2d-materials/
