news: Microelectronics
14 Março de 2024
Worksport Ltd de West Seneca, NY, EUA (um fabricante de acessórios automotivos que desenvolve soluções de energia limpa) anunciou um movimento estratégico para integrar nitreto de gálio (GaN) em suas próximas ofertas de produtos.
Motivado pelo potencial do GaN de fornecer desempenho superior, maior eficiência e tamanho e peso reduzidos em comparação com soluções convencionais baseadas em silício, o objetivo da Worksport é integrar o GaN em versões futuras de seus sistemas geradores de bateria móvel COR, por meio de várias parcerias, incluindo uma anunciada no início Fevereiro com a fabricante de semicondutores GaN Infineon Technologies AG de Munique, Alemanha.
Em comparação com o silício, os interruptores de potência baseados em GaN apresentam capacitâncias gerais mais baixas, especialmente considerando que não possuem um diodo de corpo antiparalelo. Os switches GaN permitem, portanto, velocidades de comutação mais rápidas e perdas de energia reduzidas. O GaN também pode suportar temperaturas mais altas que o silício. O uso de GaN pode, portanto, aumentar a eficiência, o gerenciamento térmico e o desempenho. Além disso, como o GaN tem uma ampla energia de bandgap, os dispositivos podem suportar tensões muito mais altas do que os dispositivos baseados em silício, ao mesmo tempo que usam pacotes menores. Isso pode resultar em conversores de energia com uma densidade de potência muito maior do que a normalmente encontrada em switches baseados em silício.
A Worksport avalia que, ao aproveitar a tecnologia GaN, seus produtos futuros serão capazes de oferecer desempenho incomparável e ao mesmo tempo consumir menos energia, resultando em maior vida útil da bateria devido a conversores de energia de maior eficiência. Além disso, devido à maior eficiência do GaN, os conversores de energia baseados em GaN irradiam menos calor e têm menores requisitos de resfriamento e menor necessidade de ventiladores de resfriamento, levando a empresa a acreditar que poderia produzir um tamanho mais compacto para seus componentes eletrônicos de potência. Além disso, a Worksport acredita que, ao usar GaN, será capaz de criar dispositivos mais confiáveis e duradouros, ao mesmo tempo que reduz o risco de superaquecimento e degradação de desempenho.
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- Fonte: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/worksport-140324.shtml
