news: Microelectronics
28 de fevereiro de 2024
A Infineon Technologies AG de Munique, Alemanha, lançou o MOSFET discreto CoolSiC 750V G1 para atender à crescente demanda por maior eficiência e densidade de potência em aplicações de energia industriais e automotivas.
A família de produtos inclui MOSFETs de carboneto de silício (SiC) de nível industrial e automotivo que são otimizados para PFC totem-pole, tipo T, LLC/CLLC, ponte ativa dupla (DAB), HERIC, buck/boost e fase topologias de ponte completa deslocada (PSFB). Os MOSFETs são adequados para uso em aplicações industriais típicas, como carregamento de veículos elétricos (EV), unidades industriais, sistemas solares e de armazenamento de energia, disjuntores de estado sólido, sistemas UPS, servidores/data centers, telecomunicações e no setor automotivo. , como carregadores integrados (OBC) e conversores DC-DC.
Imagem: O novo CoolSiC MOSFET discreto 750V G1 da Infineon.
A tecnologia CoolSiC MOSFET 750V G1 apresenta o que é considerado excelente RDS (ligado) xQfr e R superiorDS (ligado) xQCentro figuras de mérito (FOMs), resultando em eficiência ultra-alta em topologias de hard-switching e soft-switching, respectivamente. Sua combinação única de tensão de alto limiar (VGS (th), típico de 4.3 V) com baixo QGD/QGS A relação garante alta robustez contra ativação parasita e permite o acionamento de porta unipolar, levando ao aumento da densidade de potência e ao baixo custo dos sistemas. Todos os dispositivos usam a tecnologia proprietária da Infineon, que oferece o que é considerado uma excelente impedância térmica para tamanhos de matrizes equivalentes. O design de óxido de comporta altamente confiável – combinado com os padrões de qualificação da Infineon – oferece desempenho robusto e de longo prazo.
Com um portfólio granular variando de 8mΩ a 140mΩ RDS (ligado) a 25°C, a nova família de produtos CoolSiC MOSFET 750V G1 atende a uma ampla gama de necessidades. Diz-se que seu design garante menores perdas de condução e comutação, aumentando a eficiência geral do sistema. Seus pacotes minimizam a resistência térmica, facilitam a melhor dissipação de calor e otimizam a indutância do circuito de potência no circuito, resultando em alta densidade de potência e custos reduzidos do sistema. A família de produtos apresenta o pacote refrigerado na parte superior QDPAK.
O CoolSiC MOSFET 750V G1 para aplicações automotivas vem nos pacotes QDPAK TSC, D2PAK-7L e TO-247-4, enquanto para aplicações industriais são oferecidos os pacotes QDPAK TSC e TO-247-4.
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- Fonte: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/infineon-280224.shtml
