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5 Março de 2024
A Infineon Technologies AG de Munique, Alemanha, lançou sua próxima geração de tecnologia de trincheira MOSFET de carboneto de silício (SiC). Diz-se que o novo CoolSiC MOSFET 650V e 1200V Geração 2 melhora os principais números de desempenho do MOSFET, como energias armazenadas e cargas, em até 20% em comparação com a geração anterior, sem comprometer os níveis de qualidade e confiabilidade, levando a uma maior eficiência energética geral.
Imagem: Dispositivos CoolSiC MOSFET 650V e 1200V G2 da Infineon.
A tecnologia CoolSiC MOSFET Geração 2 (G2) continua a aproveitar as capacidades de desempenho do carboneto de silício, permitindo menor perda de energia, gerando maior eficiência durante a conversão de energia e beneficiando aplicações de semicondutores de potência, como energia fotovoltaica, armazenamento de energia, carregamento de EV DC, acionamentos de motor e energia industrial suprimentos.
Uma estação de carregamento rápido DC para veículos elétricos equipada com CoolSiC G2 permite até 10% menos perda de energia em comparação com as gerações anteriores, ao mesmo tempo que permite maior capacidade de carregamento sem comprometer os formatos. Inversores de tração baseados em dispositivos CoolSiC G2 podem aumentar ainda mais o alcance de EV. Nas energias renováveis, os inversores solares projetados com CoolSiC G2 possibilitam tamanhos menores, mantendo uma alta potência, resultando em um menor custo por watt.
“As megatendências exigem formas novas e eficientes de gerar, transmitir e consumir energia. Com o CoolSiC MOSFET G2, a Infineon leva o desempenho do carboneto de silício a um novo nível”, disse o Dr. Peter Wawer, presidente da divisão Green Industrial Power da Infineon. “Esta nova geração de tecnologia SiC permite o design acelerado de sistemas mais otimizados em termos de custos, compactos, confiáveis e altamente eficientes, obtendo economia de energia e reduzindo CO2 para cada watt instalado no campo.”
A Infineon afirma que sua tecnologia de trincheira CoolSiC MOSFET oferece um compromisso de design otimizado, permitindo maior eficiência e confiabilidade em comparação com a tecnologia SiC MOSFET disponível até agora. Combinada com a tecnologia de embalagem .XT, a empresa está aumentando ainda mais o potencial de designs baseados no CoolSiC G2 com maior condutividade térmica, melhor controle de montagem e melhor desempenho.
Infineon lança família de produtos 750V G1 CoolSiC MOSFET
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- Fonte: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/infineon-050324.shtml
