news: Microelectronics
14 Março de 2024
Através de sua subsidiária Infineon Technologies Austria AG, a Infineon Technologies AG de Munique, Alemanha, entrou com uma ação no tribunal distrital do Distrito Norte da Califórnia contra a empresa de soluções de energia de nitreto de gálio sobre silício (GaN-on-Si) Innoscience (Zhuhai). Technology Co Ltd de Suzhou, China, e Innoscience America Inc e afiliadas. A Infineon está buscando liminar permanente por violação de uma patente dos Estados Unidos relacionada à tecnologia de nitreto de gálio (GaN) de propriedade da Infineon. As reivindicações de patente cobrem aspectos essenciais dos semicondutores de potência GaN, abrangendo inovações que permitem a confiabilidade e o desempenho dos dispositivos GaN proprietários da Infineon.
A Infineon alega que a Innoscience infringe a patente ao fabricar, usar, vender, oferecer venda e/ou importar para os EUA vários produtos, incluindo transistores GaN para inúmeras aplicações, nos setores automotivo, data centers, energia solar, acionamentos de motor, eletrônicos de consumo e produtos relacionados. produtos utilizados em aplicações automotivas, industriais e comerciais.
“A produção de transistores de potência de nitreto de gálio requer projetos e processos de semicondutores completamente novos”, diz Adam White, presidente da Divisão de Sistemas de Energia e Sensores da Infineon. “Protegemos vigorosamente a nossa propriedade intelectual e, assim, agimos no interesse de todos os clientes e utilizadores finais”, acrescenta. A Infineon afirma que há décadas investe em P&D, desenvolvimento de produtos e experiência de fabricação relacionada à tecnologia GaN e que continua a defender sua propriedade intelectual e a proteger seus investimentos.
Em 24 de outubro de 2023, a Infineon anunciou o fechamento da aquisição da GaN Systems Inc de Ottawa, Ontário, Canadá (uma desenvolvedora sem fábrica de semicondutores de comutação de potência baseados em nitreto de gálio para conversão de energia e aplicações de controle), expandindo sua posição em semicondutores de potência. O portfólio de patentes GaN da Infineon compreende cerca de 350 famílias de patentes. Analistas de mercado esperam que a receita de GaN para aplicações de energia aumente a uma taxa composta de crescimento anual (CAGR) de 49%, para cerca de US$ 2 bilhões até 2028 (de acordo com o 'Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023' da empresa de pesquisa de mercado Yole) .
Infineon conclui aquisição da GaN Systems
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- Fonte: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/infineon-140324.shtml
