뉴스 : 마이크로

22 2월 2024

2024 회계연도 2023분기(101년 4월 말까지) 동안 미국 캘리포니아주 산타바바라 근처 Goleta에 위치한 Transphorm Inc는 JEDEC 및 AEC-Q67 인증 질화갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터를 설계 및 제조합니다( 고전압 전력 변환용 FET)는 3.9달러의 수익을 보고했습니다. 4.49만 달러로 전년 동기 6.8만 달러에 비해 5% 증가했지만 지난 분기에는 XNUMX만 달러에 비해 XNUMX% 감소했습니다.

제품 수익은 3.2만 달러로 단기 수요 감소로 인해 지난 분기 대비 11%, 전년 동기 대비 20% 감소했습니다. 정부 수입은 1.5만 달러로 지난 분기와 거의 비슷했지만 180년 전보다는 XNUMX% 증가했습니다.

총 마진은 1.6%로 전년 동기 -59.4%보다 개선되었지만 지난 분기 23.4%보다 감소했습니다. 소비세 조정 $250,000와 비반복 스크랩 $170,000의 영향을 받았습니다.

비GAAP 기준으로 보면 운영 비용은 지난 분기 6.42만 달러에서 7.35만 달러로 더욱 증가했습니다. 그러나 이러한 증가는 10월 339일에 일본 소재 Renesas Electronics Corp의 자회사가 약 XNUMX억 XNUMX만 달러에 Transphorm을 인수하기로 발표한 최종 합의와 관련된 법적 비용에 따른 것입니다.

순손실은 10만 달러(주당 0.20달러)로 지난 분기 7.13만 달러(주당 0.12달러)보다 증가했지만 10.46년 전 0.18만 달러(주당 XNUMX달러)보다는 소폭 줄었습니다.

조정 EBITDA는 지난 분기 -6.9만 달러(주당 0.11달러)에 비해 -4.98만 달러(주당 0.08달러)였지만 8.52년 전 -0.15만 달러(주당 XNUMX달러)보다 개선되었습니다.

해당 분기 동안 현금, 현금 등가물 및 제한된 현금은 6.152만7.95천 달러에서 3만 달러로 증가했습니다. 그러나 이는 Transphorm이 기존 영장 행사와 2.1만 달러의 단기 부채를 통해 XNUMX만 달러를 조달한 후에야 가능했습니다.

CEO 겸 공동 창업자인 Primit Parikh는 “3분기 제품 수익이 연속적으로 소폭 감소했지만 수익 파이프라인 구축 및 디자인 인 확보에 있어 강력한 모멘텀을 계속 경험했습니다.”라고 말했습니다.

분기별 주요 내용은 다음과 같습니다.

고전력 부문

• 더 높은 전력(300W~7.5kW)에 대한 총 설계를 120개 이상(생산 35개 이상)으로 늘렸습니다. 이는 20월의 이전 업데이트인 100개보다 XNUMX% 증가한 수치입니다.
• 4리드 TO-247 패키지에 35개의 새로운 SuperGaN 장치를 발표했습니다. 이 장치는 SiC FET를 대체하고 50mΩ 및 25mΩ 온 저항을 제공하며 최근 내부 장치에서 XNUMX% 더 낮은 에너지 손실로 더욱 효율적인 스위칭 기능을 제공합니다. 테스트를 통해 새로운 솔루션과 기존 솔루션으로 소켓 침투 기회를 늘립니다.
• Transphorm이 최근 출시한 85110V/650mΩ TOLL 장치를 사용하여 고전력 애플리케이션을 위한 GaN 전력 시스템 성능을 높이기 위해 Allegro MicroSystem의 AHV70 절연 게이트 드라이버 및 Transphorm의 SuperGaN FET와의 협력을 발표했습니다.
• 전력 소모가 많은 인공 지능(AI) 애플리케이션, 서버 전력, 에너지 및 산업 시장을 위한 고전력 애플리케이션을 지원하는 표면 실장 장치(SMD) TOLL 패키지에 3개의 Transphorm FET를 출시하여 GaN을 이러한 킬로와트급 전력을 위한 최적의 장치로 자리매김했습니다. 배고픈 애플리케이션을 제공하고 고전압, 고전력 동적 신뢰성을 입증합니다.
• JEDEC 표준(MO-332) TOLT 패키지의 업계 최초 상부 냉각 표면 실장 GaN 장치인 SuperGaN TOLT FET 출시 자동차 전력 시스템.
• 2륜 및 3륜 EV에 적합한 전기 자동차(EV) 충전 애플리케이션용 배터리 충전기 레퍼런스 디자인 2개를 출시했습니다.
• 1200년 중반까지 2024V 엔지니어링 샘플을 추적 중입니다.

저전력 부문

• 전원 어댑터 및 고속 충전기(<300W)에 대한 총 디자인 인을 125개 이상(생산 중 30개 이상)으로 늘렸습니다. 이는 8년 115월의 이전 업데이트보다 진행 중인 디자인 인이 XNUMX% 증가한 것입니다.
• Weltrend Semiconductor Inc와 함께 Transphorm의 WT100RHUG7162A SuperGaN 시스템 인 패키지를 사용하여 유사 공진 플라이백 토폴로지에서 24% 효율을 달성하는 92.7W USB-C PD 전원 어댑터 참조 설계를 발표했습니다.

관련 항목 참조 :

Transphorm, 고전력 서버, 재생 가능, 산업용 전력 변환을 위한 4개의 247리드 TO-XNUMX GaN FET 출시

Renesas, GaN 장치 제조업체 Transphorm을 339억 XNUMX만 달러에 인수

Transphorm과 Weltrend, 100W USB-C PD 전원 어댑터 참조 설계 출시

Transphorm 분기별 제품 수익은 예상보다 높은 18만 달러로 전분기 대비 3.55% 증가했습니다.

Transphorm 분기별 수익은 정부 계약 수익에 힘입어 전년 동기 대비 14% 증가한 5.9만 달러를 기록했습니다.

Transphorm의 연간 제품 매출은 21% 증가했습니다.

Transphorm의 제품 수익은 25월 분기에 XNUMX% 증가했습니다.

태그 : 트랜스폼 GaN-on-Si GaN HEMT

방문 www.transphormusa.com

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• 출처: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/transphorm-220224.shtml