"다중 게이트 WSe의 전기적 특성화"라는 제목의 기술 문서₂ / MoS₂ van der Waals heterojunctions'는 Helmholtz-Zentrum Dresden Rossendorf(HZDR), TU Dresden, 국립재료과학연구소(일본) 및 NaMLab gGmbH의 연구원들이 출판했습니다.

추상

“다양한 2차원(2D) 재료를 반 데르 발스 이종 구조로 수직 적층하면 개별 재료의 특성과 층간 결합을 활용하여 독특한 전기적 및 광학적 특성을 나타냅니다. 여기에서는 터널 다이오드 및 터널 전계 효과 트랜지스터와 같은 양자 역학적 밴드 간 터널링 전송을 기반으로 하는 전자 장치의 구현을 위해 다양한 XNUMXD 재료로 완전히 구성된 시스템을 연구하고 조사합니다. 우리는 WSe의 반도체층을 기반으로 반데르발스 이종접합을 제작하고 특성화했습니다.₂ 그리고 MoS₂ 접합의 전송 특성을 분석하기 위해 다양한 게이트 구성을 사용합니다. 우리는 두꺼운 산화물 유전체를 육각형-질화붕소의 얇은 층으로 대체함으로써 이종 접합을 통한 터널링 전송을 달성하는 데 장치 유전체 환경이 중요하다는 것을 발견했습니다. 우리 이종 접합 장치의 여러 영역에 구현된 추가 상단 게이트의 도움으로 터널링 특성과 접촉 인터페이스의 쇼트키 장벽이 중간 접촉 재료로 그래핀 층을 사용하여 효율적으로 조정될 수 있음이 확인되었습니다.”

기술 찾기 여기에 종이. 2024년 XNUMX월 게시.

Chava, P., Kateel, V., Watanabe, K. 외. 다중 게이트 WSe2/MoS2 반데르발스 이종접합의 전기적 특성 분석. Sci Rep 14, 5813(2024). https://doi.org/10.1038/s41598-024-56455-x.

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• 출처: https://semiengineering.com/band-to-band-tunneling-and-negative-differential-resistance-in-heterojunctions-built-entirely-using-2d-materials/