Stanford University, TSMC, NIST, University of Maryland, Theiss Research 및 Tianjin University의 연구원들은 "낮은 에너지 및 높은 안정성의 나노규모 상변화 메모리를 위한 새로운 나노복합체-초격자"라는 기술 논문을 발표했습니다.

요약 :

“데이터 중심 애플리케이션은 상변화 메모리(PCM) 기반 시스템을 포함해 오늘날 컴퓨팅 시스템의 에너지 효율성 한계를 뛰어넘고 있습니다. 이 기술이 고밀도 메모리 어레이에서 성공하려면 나노 수준에서 저전력 및 안정적인 작동을 달성해야 합니다. 여기서는 상변화 물질 초격자와 나노복합체(Ge 기반)의 새로운 조합을 사용합니다.₄Sb₆Te₇), 기록적으로 낮은 전력 밀도 ≒ 5 MW/cm 달성² CMOS 호환 기판의 초격자 기술을 위해 현재까지 가장 작은 크기(약 0.7nm)의 PCM 장치에서 약 40V 스위칭 전압(최신 로직 프로세서와 호환 가능)입니다. 이들 장치도 동시에 8가지 저항 상태로 낮은 저항 드리프트를 나타내며 우수한 내구성(약 2 × 10⁸ 사이클) 및 빠른 스위칭(약 40ns)이 있습니다. 효율적인 스위칭은 초격자 재료와 나노 규모 장치 크기 내에서 강력한 열 제한을 통해 가능해집니다. Ge의 미세 구조적 특성₄Sb₆Te₇ 나노복합체와 높은 결정화 온도는 초격자 PCM 장치의 빠른 전환 속도와 안정성을 보장합니다. 이러한 결과는 PCM 기술을 에너지 효율적인 데이터 저장 및 컴퓨팅의 선두주자 중 하나로 재확립시켰습니다.”

찾기 여기에 기술 문서가 있습니다. 2024년 XNUMX월 출판. 읽어보기 관련 뉴스 기사 스탠포드 대학에서.

Wu, X., Khan, AI, Lee, H. 외. 낮은 에너지 및 높은 안정성의 나노규모 상변화 메모리를 위한 새로운 나노복합체-초격자. Nat Commun 15, 13(2024). https://doi.org/10.1038/s41467-023-42792-4

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• 출처: https://semiengineering.com/a-new-phase-change-memory-aimed-at-helping-computers-process-large-amounts-of-data/