뉴스 : 마이크로
월 14 2024
독일 뮌헨 소재 Infineon Technologies AG는 자회사 Infineon Technologies Austria AG를 통해 질화 갈륨 온 실리콘(GaN-on-Si) 전력 솔루션 회사 Innoscience(Zhuhai)를 상대로 캘리포니아 북부 지방 법원에 소송을 제기했습니다. 중국 쑤저우의 Technology Co Ltd와 Innoscience America Inc 및 계열사. 인피니언은 인피니언이 소유한 질화갈륨(GaN) 기술과 관련된 미국 특허 침해에 대해 영구 금지명령을 구하고 있습니다. 특허 주장은 Infineon의 독점 GaN 장치의 신뢰성과 성능을 가능하게 하는 혁신을 포함하는 GaN 전력 반도체의 핵심 측면을 다루고 있습니다.
Infineon은 Innoscience가 자동차, 데이터 센터, 태양광, 모터 드라이브, 가전 제품 및 관련 분야에서 다양한 애플리케이션을 위한 GaN 트랜지스터를 포함하여 다양한 제품을 제조, 사용, 판매, 판매 제안 및/또는 미국으로 수입함으로써 특허를 침해했다고 주장합니다. 자동차, 산업 및 상업용 응용 분야에 사용되는 제품입니다.
Infineon의 전력 및 센서 시스템 사업부 사장인 Adam White는 “질화갈륨 전력 트랜지스터를 생산하려면 완전히 새로운 반도체 설계와 공정이 필요합니다. “우리는 지적 재산을 적극적으로 보호하여 모든 고객과 최종 사용자의 이익을 위해 행동합니다.”라고 그는 덧붙입니다. 인피니언은 수십 년 동안 GaN 기술과 관련된 R&D, 제품 개발, 제조 전문성에 투자해 왔으며 계속해서 지적 재산을 보호하고 투자를 보호하고 있다고 밝혔습니다.
24년 2023월 350일, 인피니언은 캐나다 온타리오주 오타와의 GaN Systems Inc(전력 변환 및 제어 애플리케이션을 위한 질화갈륨 기반 전력 스위칭 반도체의 팹리스 개발업체) 인수를 완료하여 전력 반도체 분야에서의 입지를 확대했다고 발표했습니다. Infineon의 GaN 특허 포트폴리오는 약 49개 특허 제품군으로 구성됩니다. 시장 분석가들은 전력 애플리케이션에 대한 GaN 수익이 2년까지 연평균 복합 성장률(CAGR) 2028%로 증가하여 약 4억 달러에 이를 것으로 예상합니다(시장 조사 회사인 Yole의 '전력 SiC 및 GaN 복합 반도체 시장 모니터 2023년 XNUMX분기'에 따르면). .
이노사이언스, 미국 ITC와 연방법원에 제기된 EPC 소송에 대응
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- 출처: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/mar/infineon-140324.shtml
