MIT(매사추세츠 공과대학) 연구진이 "상온에서 반데르발스 강자성체의 전류 유도 스위칭"이라는 기술 논문을 발표했습니다.
요약 :
“최근 반데르발스 자성 재료(vdWMM)에서 창발자성이 발견되면서 에너지 효율적인 계산을 위한 스핀트로닉 장치를 개발하기 위한 재료 공간이 넓어졌습니다. vdWMM 발견에서는 상당한 진전이 있었지만, 실온에서 vdWMM의 비휘발성, 결정론적 스위칭을 위한 솔루션이 누락되어 상업용 스핀트로닉 장치에 채택될 가능성이 제한되었습니다. 여기에서는 실온에서 vdW 자성 재료의 전류 제어 비휘발성 결정론적 자화 스위칭에 대한 첫 번째 시연을 보고합니다. 우리는 J 만큼 낮은 임계 스위칭 전류 밀도로 최대 3K의 Pt 스핀 홀 층을 사용하여 PMA vdW 강자성체 Fe2GaTe320의 스핀 궤도 토크(SOT) 스위칭을 달성했습니다.sw = 1.69 × 106 cm-2 실온에서. 우리는 또한 Fe3GaTe2/Pt 이중층 시스템의 감쇠 방지 유사 SOT 효율을 ξ로 정량적으로 추정했습니다.DL = 0:093, XNUMX차 고조파 홀 전압 측정 기술 사용. 이러한 결과는 vdW 자성 재료를 확장 가능하고 에너지 효율적인 스핀트로닉 장치 개발을 위한 실행 가능한 선택으로 만드는 중요한 단계입니다.”
찾기 여기에 기술 문서가 있습니다. 2024년 XNUMX월 발행. MIT 관련 뉴스 기사 및 영상은 여기에서 지금 확인해 보세요..
Kajale, SN, Nguyen, T., Chao, CA et al. 실온에서 반 데르 발스 강자성체의 전류 유도 스위칭. Nat Commun 15, 1485(2024). https://doi.org/10.1038/s41467-024-45586-4
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- 출처: https://semiengineering.com/ultrathin-vdw-ferromagnet-at-room-temperature-mit/
