뉴스 : 마이크로
1월 23 2024
도쿄에 본사를 둔 Mitsubishi Electric Corp은 SiC-MOSFET(실리콘 카바이드 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 또는 실리콘 기반 RC를 특징으로 하는 다양한 전기 자동차(xEV)용 3개의 새로운 J3 시리즈 전력 반도체 모듈을 출시할 예정입니다. - IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)는 전기 자동차(EV) 및 플러그인 하이브리드 전기 자동차(PHEV)의 인버터에 사용하기 위한 컴팩트한 디자인과 확장성을 갖추고 있습니다. J25 시리즈 XNUMX개 제품 모두 XNUMX월 XNUMX일부터 샘플 배송이 가능합니다.
새로운 전력 모듈은 일본 도쿄 빅사이트(38월 2024~24일)에서 열리는 제26회 전자 R&D, 제조 및 패키징 기술 박람회(NEPCON JAPAN XNUMX)와 북미, 유럽, 중국 및 기타 지역의 기타 전시회에서 전시됩니다. 위치.
이러한 SiC 제품의 개발은 일본의 신에너지 및 산업 기술 개발 기구(NEDO)의 일부 지원을 받았습니다.
www.mitsubishielectric.com/semiconductors/powerdevices
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- 출처: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/jan/mitsubishielectric-230124.shtml