뉴스 : 마이크로
15 2월 2024
2024년 IEEE Applied Power Electronics Conference & Exposition(APEC 2024)과 'GaNFast Blast!'를 시작으로 일련의 이벤트로! 26월 10일부터 미국 캘리포니아주 롱비치에서 열리는 질화 갈륨(GaN) 전력 IC 및 실리콘 카바이드(SiC) 기술 회사인 Navitas Semiconductor Corp(미국 캘리포니아주 토런스 소재)은 광범위한 고속 분야에서 혁신과 성장의 XNUMX주년을 기념하고 있습니다. -초고속 모바일 충전부터 인공지능(AI) 데이터 센터, 재생 에너지 및 EV에 이르기까지 성장하는 시장.
“트레일러부터 기록적인 시간 내에 1억 달러 이상의 IPO를 달성하고 300명의 강력하고 고도로 숙련된 팀을 갖춘 전 세계에 진출하는 데까지 우리는 지금까지 150억 200,000천만 대 이상의 장치를 공급하고 XNUMX톤 이상의 CO를 절약했습니다.2"라고 CEO이자 공동 창업자인 Gene Sheridan은 말합니다. “Deloitte와 Forbes의 성장상은 우리의 수익 성장과 시장보다 몇 배 더 빠르게 성장하기 위한 장기적인 지침을 강조합니다.”라고 그는 덧붙입니다.
"2014년 차세대 전력 반도체 선구자인 Navitas는 질화 갈륨 및 탄화 규소와 같은 '와이드 밴드갭' 기술 전반에 걸쳐 250개 이상의 특허를 축적했으며 특허를 취득하여 고속 컨트롤러 및 디지털 아이솔레이터를 가능하게 했습니다."라고 말합니다. 공동 창업자 겸 최고 운영 책임자(COO)/최고 기술 책임자(CTO) Dan Kinzer. "최첨단 기술, 핵심 인재, 혁신에 대한 열정은 현재 Navitas의 성공에 중요한 요소이며, 향후 기술과 지속적인 시장 리더십을 위한 강력한 기반입니다."
Navitas는 단 15~18개월 만에 새로운 세대의 GaN IC를 선보이며 세계 최초의 통합 GaNFast 전력 IC 출시를 포함하여 첫 9년 동안의 GaN 기술 이정표를 언급합니다. GaNSense – 최초의 통합 정밀 전류 감지 GaN 칩 GaNSafe — 고신뢰성 시스템을 위한 가장 보호된 GaN 전력 장치입니다. 레거시 실리콘 MOSFET 또는 IGBT보다 최대 XNUMX배 작은 칩 크기를 갖춘 새로운 양방향 GaN 전력 IC 플랫폼 공개.
더 높은 전압 및 더 높은 전력 애플리케이션을 위해 Navitas는 GeneSiC를 기반으로 동급 최고의 효율성, 견고성 및 고주파 작동 기능을 갖춘 업계에서 가장 광범위한 SiC 베어 다이 및 패키지 장치를 제공합니다(650~6500V). 기술. 이를 통해 Navitas는 가전제품, AI 데이터 센터, 전기 자동차부터 재생 에너지 및 산업 자동화에 이르는 다양한 시장에 SiC 및 GaN 전력 반도체를 모두 공급할 수 있습니다.
2021년에 회사는 Nasdaq 거래소에서 1억 달러 이상의 IPO를 통해 상장했으며, 2023년에는 100억 개가 넘는 GaN 장치가 출하되었습니다. 같은 해에 이 회사는 포브스(Forbes)가 선정한 미국에서 가장 성공적인 50대 중소기업 중 하나로 선정되었으며, 빠르게 성장하는 북미 기업을 대상으로 하는 Deloitte Technology Fast 72 목록에서 500위를 차지했습니다. Navitas는 또한 자사 기술에 대해 업계 최초로 20년 보증을 제공하며, Climate Impact Partners로부터 CarbonNeutral 기업 인증을 획득한 최초의 반도체 회사였습니다.
작년에 Navitas는 공식적으로 새로운 본사를 열었습니다. Torrance에는 재무, 마케팅 및 HR 전문가와 함께 GaN 및 SiC 설계, 애플리케이션, 테스트, 특성화 및 품질의 모든 측면을 담당하는 약 100명의 직원이 고용되어 있습니다.
Navitas는 Forbes가 선정한 50년 가장 성공적인 중소기업에서 상위 2024위를 차지했습니다.
Navitas의 22분기 매출은 연속 3% 증가했습니다.
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- 출처: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/navitas-150224.shtml
