Weebit Nano Limited, ein Entwickler von Speichertechnologien für die weltweite Halbleiterindustrie, hat Demonstrationschips herausgebracht (für die Fertigung freigegeben), die sein eingebettetes Resistive Random-Access Memory (ReRAM)-Modul in einem fortschrittlichen 22-nm-FD-SOI-Prozess (vollständig verarmtes Silizium auf Isolator) integrieren Technologie. Dies ist das erste Tape-out von Weebit ReRAM in 22 nm, einem der gängigen Prozessknoten, und einer Geometrie, bei der eingebetteter Flash nicht realisierbar ist.
Weebit arbeitete mit seinen Entwicklungspartnern zusammen CEA-Leti und CEA-Liste seine ReRAM-Technologie auf 22 nm zu skalieren. Die Teams entwarfen ein vollständiges IP-Speichermodul, das einen Multi-Megabit-ReRAM-Block integriert, der auf den 22-nm-FD-SOI-Prozess abzielt, der darauf ausgelegt ist, eine herausragende Leistung für verbundene und extrem stromsparende Anwendungen wie IoT und Edge-KI zu liefern.
Da eingebetteter Flash nicht unter 28 nm skaliert werden kann, wird für kleinere Prozessgeometrien eine neue nichtflüchtige Speichertechnologie (NVM) benötigt. Weebit ReRAM in 22 nm FD-SOI bietet eine kostengünstige eingebettete NVM-Lösung mit geringem Stromverbrauch, die rauen Umgebungsbedingungen standhält.
Coby Hanoch, CEO von Weebit Nano, sagt: „Wir freuen uns sehr, dass wir unseren ersten Demo-Chip in 22 nm termingerecht auf den Markt gebracht haben. Wir beschleunigen Weebits Weg hin zu fortschrittlicheren Geometrien weiter, um einen klaren Marktbedarf in Anwendungen wie Mikrocontrollern, IoT, 5G, Edge-KI und Automotive zu decken. Eingebettetes NVM ist ein Schlüsselelement solcher Designs, aber da eingebettetes Flash nur schwer unter 28 nm skaliert werden kann, suchen viele Unternehmen nach neuen Technologien wie ReRAM. Das Interesse von Unternehmen, die unser ReRAM nutzen möchten, um aufregende neue Produkte in diesen Bereichen zu entwickeln, steigt.“
Olivier Faynot, Leiter der Silicon Component Division, CEA-Leti, sagt: „Die FD-SOI-Technologie bietet eine hohe Leistung bei niedrigen Spannungen und geringem Leckstrom, damit Geräte bei höheren Frequenzen mit besserer Energieeffizienz arbeiten können. Es ermöglicht auch eine einfachere Integration zusätzlicher Funktionen wie Konnektivität und Sicherheit. Mit Weebit ReRAM, das für diesen Prozess verfügbar ist, wird die Industrie eine hocheffiziente und robuste NVM-Option für ihre zukünftigen Produktinnovationen haben.“
Das eingebettete ReRAM-Modul von Weebit umfasst ein 8-MB-ReRAM-Array, Steuerlogik, Decoder, IOs (Input/Output-Kommunikationselemente) und Fehlerkorrekturcode (ECC). Es ist mit zum Patent angemeldeten analogen und digitalen Schaltungen ausgestattet, die intelligente Algorithmen ausführen, die die technischen Parameter des Speicherarrays erheblich verbessern. Neben anderen Vorteilen zeichnet sich die ReRAM-Technologie von Weebit unter rauen Umgebungsbedingungen aus, darunter hohe Temperaturen, Strahlung und elektromagnetische Felder, was sie ideal für Anwendungen wie IoT, Medizin, Automobil und Industrie macht.
Die Demo-Chips umfassen ein vollständiges Subsystem für eingebettete Anwendungen, darunter das Weebit ReRAM-Modul, einen RISC-V-Mikrocontroller (MCU), Systemschnittstellen, Speicher und Peripheriegeräte.
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- Quelle: https://www.iot-now.com/2023/01/04/126577-weebit-nano-tapes-out-22nm-demo-chip/
