News: Mikroelektronik
28 Februar 2024
Die Infineon Technologies AG aus München hat den diskreten 750-V-G1-CoolSiC-MOSFET auf den Markt gebracht, um der steigenden Nachfrage nach höherer Effizienz und Leistungsdichte in Industrie- und Automobil-Leistungsanwendungen gerecht zu werden.
Die Produktfamilie umfasst Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) in Industrie- und Automobilqualität, die für Totem-Pole-PFC, T-Typ, LLC/CLLC, Dual Active Bridge (DAB), HERIC, Buck/Boost und Phase optimiert sind -verschobene Vollbrücken-Topologien (PSFB). Die MOSFETs eignen sich für den Einsatz in typischen Industrieanwendungen wie dem Laden von Elektrofahrzeugen (EV), Industrieantrieben, Solar- und Energiespeichersystemen, Halbleiterschutzschaltern, USV-Systemen, Servern/Rechenzentren, Telekommunikation und im Automobilsektor B. On-Board-Ladegeräte (OBC) und DC-DC-Wandler.
Bild: Infineons neuer diskreter 750-V-G1-CoolSiC-MOSFET.
Die CoolSiC MOSFET 750V G1-Technologie verfügt über angeblich hervorragende RDS (ein) Weilfr und überlegener RDS (ein) WeilZentrum Figures-of-Merit (FOMs), was zu einer extrem hohen Effizienz in Hard-Switching- bzw. Soft-Switching-Topologien führt. Seine einzigartige Kombination aus hoher Schwellenspannung (VGS (th), typisch für 4.3 V) mit niedrigem QGD/QGS Das Verhältnis gewährleistet eine hohe Robustheit gegenüber parasitärem Einschalten und ermöglicht eine unipolare Gate-Ansteuerung, was zu einer höheren Leistungsdichte und niedrigen Kosten der Systeme führt. Alle Geräte nutzen die proprietäre Die-Attach-Technologie von Infineon, die angeblich eine hervorragende thermische Impedanz bei gleichwertigen Die-Größen liefert. Das äußerst zuverlässige Gate-Oxid-Design sorgt – kombiniert mit den Qualifikationsstandards von Infineon – für robuste und langfristige Leistung.
Mit einem granularen Portfolio von 8 mΩ bis 140 mΩ RDS (ein) Bei 25 °C erfüllt die neue CoolSiC MOSFET 750V G1-Produktfamilie ein breites Spektrum an Anforderungen. Sein Design soll geringere Leitungs- und Schaltverluste gewährleisten und so die Gesamtsystemeffizienz steigern. Seine Gehäuse minimieren den Wärmewiderstand, ermöglichen eine verbesserte Wärmeableitung und optimieren die Induktivität der Stromschleife im Schaltkreis, was zu einer hohen Leistungsdichte und reduzierten Systemkosten führt. Die Produktfamilie verfügt über das obenseitig gekühlte QDPAK-Paket.
Der CoolSiC MOSFET 750V G1 für Automobilanwendungen ist in den Gehäusen QDPAK TSC, D2PAK-7L und TO-247-4 erhältlich, während für industrielle Anwendungen QDPAK TSC und TO-247-4-Gehäuse angeboten werden.
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- Quelle: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/infineon-280224.shtml
