Forscher der École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) haben einen Fachartikel mit dem Titel „Ein groß angelegter integrierter Vektor-Matrix-Multiplikationsprozessor basierend auf einschichtigen Molybdän-Disulfid-Speichern“ veröffentlicht.

Abstract:

„Datengesteuerte Algorithmen – wie Signalverarbeitung und künstliche neuronale Netze – sind erforderlich, um aus den riesigen Datenmengen, die derzeit auf der Welt produziert werden, aussagekräftige Informationen zu verarbeiten und zu extrahieren. Diese Verarbeitung wird jedoch durch die traditionelle von Neumann-Architektur mit ihrer physischen Trennung von Verarbeitung und Speicher begrenzt, was die Entwicklung von In-Memory-Computing motiviert. Hier berichten wir über einen integrierten 32 × 32-Vektormatrix-Multiplikator mit 1,024 Floating-Gate-Feldeffekttransistoren, die einschichtiges Molybdändisulfid als Kanalmaterial verwenden. In unserem Herstellungsprozess im Wafermaßstab erreichen wir eine hohe Ausbeute und geringe Variabilität von Gerät zu Gerät, was Voraussetzungen für praktische Anwendungen sind. Eine statistische Analyse verdeutlicht das Potenzial für mehrstufige und analoge Speicherung mit einem einzigen Programmierimpuls, wodurch unser Beschleuniger mithilfe eines effizienten Open-Loop-Programmierschemas programmiert werden kann. Wir demonstrieren auch parallel eine zuverlässige, diskrete Signalverarbeitung.“

Finden Sie die technisches Papier hier. Veröffentlicht im November 2023.

Migliato Marega, G., Ji, H.G., Wang, Z. et al. Ein hochintegrierter Vektor-Matrix-Multiplikationsprozessor basierend auf einschichtigen Molybdändisulfid-Speichern. Nat Electron 6, 991–998 (2023). https://doi.org/10.1038/s41928-023-01064-1

Weiterführende Literatur
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• Quelle: https://semiengineering.com/large-scale-integration-of-2d-materials-as-the-semiconducting-channel-in-an-in-memory-processor/