Auf einem DRAM-Chip kann die Strukturierung von Merkmalen außerhalb des Zellenarrays eine ebenso große Herausforderung darstellen wie die Strukturierung von Merkmalen innerhalb des Arrays selbst. Während...
Stochastische Defekte in der EUV-Lithographie wurden in den letzten Jahren untersucht. Seit Jahren wird das Poisson-Rauschen durch die geringe Photonendichte von...
Lithographie mit extremem Ultraviolett (EUV) zielt auf Musterungsabstände unter 50 nm ab, was jenseits der Auflösung eines Immersionslithographiesystems ohne mehrfache Musterung liegt. Im...
