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Band-zu-Band-Tunneling und negativer Differenzwiderstand in Heteroübergängen, die vollständig aus 2D-Materialien bestehen

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Ein technischer Artikel mit dem Titel „Electrical Characterization of Multi-Gated WSe2 /MoS2 van der Waals Heterojunctions“ wurde von Forschern des Helmholtz-Zentrums Dresden Rossendorf (HZDR), der TU Dresden, des National Institute for Materials Science (Japan) und der NaMLab gGmbH veröffentlicht.

Abstrakt

„Das vertikale Stapeln verschiedener zweidimensionaler (2D) Materialien zu Van-der-Waals-Heterostrukturen nutzt die Eigenschaften einzelner Materialien sowie deren Zwischenschichtkopplung und weist dadurch einzigartige elektrische und optische Eigenschaften auf. Hier untersuchen und untersuchen wir ein System, das vollständig aus verschiedenen 2D-Materialien für die Implementierung elektronischer Geräte besteht, die auf quantenmechanischem Band-zu-Band-Tunneltransport basieren, wie Tunneldioden und Tunnel-Feldeffekttransistoren. Wir haben Van-der-Waals-Heteroübergänge basierend auf halbleitenden Schichten aus WSe hergestellt und charakterisiert2 und MoS2 durch den Einsatz verschiedener Gate-Konfigurationen zur Analyse der Transporteigenschaften der Kreuzung. Wir fanden heraus, dass die dielektrische Umgebung des Geräts entscheidend für den Tunneltransport über den Heteroübergang ist, indem dicke Oxiddielektrika durch dünne Schichten aus hexagonalem Bornitrid ersetzt werden. Mit Hilfe zusätzlicher Top-Gates, die in verschiedenen Regionen unseres Heteroübergangsgeräts implementiert wurden, zeigte sich, dass die Tunneleigenschaften sowie die Schottky-Barrieren an den Kontaktschnittstellen durch die Verwendung von Graphenschichten als Zwischenkontaktmaterial effizient abgestimmt werden konnten.“

Finden Sie das Technische Papier hier. Veröffentlicht März 2024.

Chava, P., Kateel, V., Watanabe, K. et al. Elektrische Charakterisierung von WSe2/MoS2-Van-der-Waals-Heteroübergängen mit mehreren Gattern. Sci Rep 14, 5813 (2024). https://doi.org/10.1038/s41598-024-56455-x.

Weiterführende Literatur
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