1. A.

   Die in der Veröffentlichung angegebenen Leitfähigkeitswerte sind ~8 % niedriger (nahe 2).e²/h) als der tatsächliche Wert (korrigierte Abb. 1). Diese Abweichung ist auf einen Abfall der Verstärkung des Strom-Spannungs-Verstärkers bei einer Wechselstrom-Erregerfrequenz von 67 Hz zurückzuführen⁵. Infolgedessen kommt es zu einer leichten Änderung des Andreev-Leitfähigkeitsverstärkungsfaktors und der aus der Verstärkung extrahierten supraleitenden Kontakttransparenz (ein Vergleich zwischen den in der Veröffentlichung angegebenen Werten und den korrigierten Werten ist unten in B angegeben). Die allgemeinen Schlussfolgerungen basieren nicht auf dem genauen Wert der Leitfähigkeit, da aufgrund der Geometrie des Geräts mit zwei Anschlüssen keine genaue Quantisierung zu erwarten ist.

2. B.

   Der subtrahierte Serienwiderstand von 3 kΩ in der ursprünglichen Abbildung 1 war eine Überschätzung (siehe korrigierte Abbildung 1 in der). Zusätzliche Angaben Datei). Die Subtraktion von 3 kΩ wurde in der Originalveröffentlichung nicht erwähnt.

Ein Vergleich der ursprünglichen und korrigierten Abbildung 1 ist in a dargestellt Zusätzliche Angaben Datei, die dieser Korrektur beiliegt.

Originalanalyse des Kontaktwiderstands

Für alle Zahlen in der Originalveröffentlichung außer Abb. 1 haben wir entweder einen Kontaktwiderstandswert von 0.5 kΩ abgezogen, was eine Unterschätzung darstellt¹, oder überhaupt kein Widerstand. Wir stellen fest, dass bei Tunnelmessungen der Gesamtwiderstand deutlich höher ist als der normale Metallkontaktwiderstand, dessen Beitrag daher vernachlässigt werden kann. Abbildung 1 wurde jedoch verwendet, um die Transparenz des supraleitenden Kontakts und die Andreev-Verstärkung im Bereich hoher Leitfähigkeit abzuschätzen, was einen realistischen Ausschluss des Kontaktwiderstands erforderte. Im Anschluss an unseren vorherigen Artikel⁴, das normale Metallkontaktwiderstandswerte zwischen 1.5 und 3.25 kΩ pro Kontakt ermittelte und auf der Anpassung der gemessenen Leitfähigkeit mithilfe der Theorie (Singlemode-Schnittstelle an einen Supraleiter) basierte, die nach dem Ausschluss von 3 kΩ eine vernünftige Übereinstimmung lieferte, subtrahierten wir 3 kΩ, um den Widerstand auszuschließen des normalen Metallkontakts.

Neuanalyse des Kontaktwiderstandes

Bei unserer erneuten Analyse haben wir herausgefunden, dass der Mindestwiderstand dieses Geräts bei den höchsten angelegten Gate-Spannungen 2.9 kΩ beträgt, ein Wert, der eine Obergrenze für den Kontaktwiderstand darstellt. Hier wäre der Kontaktwiderstand 2.9 kΩ unter der Annahme, dass der Nanodraht selbst bei den größten Gate-Spannungen keinen Widerstand aufweist.

Der Kontaktwiderstand kann mit einer alternativen Methode geschätzt werden, indem ein Serienwiderstand, der das beobachtete Leitfähigkeitsplateau bei Vorspannungen über der supraleitenden Lücke anpasst, vom erwarteten quantisierten Wert subtrahiert wird, ein Verfahren, das in der Originalveröffentlichung nicht durchgeführt wurde. Indem der Leitwert bei positiv und negativ | gemittelt wirdV| Bei ca. 1.7 mV (ungefähr die größten für diese Analyse verfügbaren Vorspannungen) stellen wir fest, dass der quantisierte Wert für einen Kontaktwiderstand von 0.77 kΩ erreicht wird. (Betrachtet man nur die positive Vorspannung und separat nur die negative Vorspannung, ergibt sich für den Kontaktwiderstand ein Bereich von 0–2.13 kΩ.)

Bei unserer korrigierten Schätzung des Kontaktwiderstands haben wir das Kalibrierungsverfahren angewendet⁵ Das korrigiert Wechselstromkreiseffekte, verwendet kalibrierte Werte für den Serienwiderstand des Aufbaus, in dem Abb. 1 gemessen wurde, und korrigiert direkt den oben in A aufgeführten Fehler.

Bei erneuter Analyse schätzen wir die folgenden Kontaktwiderstandswerte, Verstärkungsfaktoren und Transparenzen:

Der korrigierte supraleitende Kontakttransparenzwert von 0.9 hat keinen Einfluss auf die Behauptung einer hohen Transparenz. Die Behauptung des ballistischen Transports beruht nicht auf dem genauen Wert des Leitfähigkeitsplateaus und bleibt daher auch unberührt.

1. C.

   Im ursprünglichen Abschnitt „Methoden“ wird auf die Angabe subtrahierter Serienwiderstände verzichtet, die den normalen Metallkontaktwiderstand in jeder Abbildung erklären. Folgendes ist hier für die korrigierten Methoden enthalten:

"Kontaktwiderstandsbehandlung. In den Abbildungen wurde ein fester Serienwiderstand von 0.5 kΩ abgezogen. 1 und 4, Ergänzende Abbildungen. 1, 2b, c und 4-9 um den Kontaktwiderstand der normalen Metallleitung zu berücksichtigen. Dieser Wert ist kleiner als der niedrigste Kontaktwiderstand, den wir für InSb-Nanodrahtgeräte erhalten haben²⁵ (ref. ⁴ unten), was die aus Abb. 1 geschätzte Schnittstellentransparenz zu einer Untergrenze macht. Bei den übrigen Zahlen wurde kein Serienwiderstand abgezogen, um den normalen Metallkontaktwiderstand zu berücksichtigen.“

1. D.

   In der ursprünglichen Zusatzabbildung. 5 (jetzt ergänzende Abb. 6) wurde ein Ladungssprung durch Entfernen von 12 Leitungsspuren (entsprechend +0.15 V bis +0.04 V Gate-Spannung in den Messdaten) und Versatz der Gate-Spannungsachse um 0.12 V nach dem Ladungssprung (–1 V bis) korrigiert +0.03 V), um die Kontinuität der Achse aufrechtzuerhalten. Diese Verarbeitung wurde in der Originalveröffentlichung nicht erwähnt. Die korrigierte Zusatzabbildung. 6 schließt diese Verarbeitung aus und stellt die Daten wie gemessen dar.

Ein Vergleich der ursprünglichen und korrigierten Abb. SI5 (jetzt Abb. SI6) ist in a dargestellt Zusätzliche Angaben Datei, die dieser Korrektur beiliegt.

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• Quelle: https://www.nature.com/articles/s41565-024-01602-8