1. A.

   قيم التوصيل المذكورة في المنشور أقل بنسبة 8٪ تقريبًا (بالقرب من 2e²/h) من القيمة الفعلية (تصحيح الشكل 1). يرجع هذا الانحراف إلى انخفاض كسب مضخم التيار إلى الجهد عند تردد إثارة تيار متردد قدره 67 هرتز⁵. ونتيجة لذلك، هناك تغيير طفيف في عامل تعزيز توصيل Andreev وشفافية الاتصال فائقة التوصيل المستخرجة من التعزيز (ترد مقارنة بين القيم المقتبسة في المنشور والقيم المصححة أدناه في B). لا تعتمد الاستنتاجات العامة على القيمة الدقيقة للموصلية حيث لا يُتوقع التكميم الدقيق بسبب هندسة الجهاز ذي المطرافين.

2. B.

   كانت مقاومة السلسلة المطروحة البالغة 3 كيلو أوم في الشكل 1 الأصلي بمثابة مبالغة في التقدير (انظر الشكل 1 المصحح في البيانات التكميلية ملف). لم يتم ذكر طرح 3 كيلو أوم في المنشور الأصلي.

يتم تقديم مقارنة بين الشكل 1 الأصلي والمصحح في أ البيانات التكميلية الملف المرفق مع هذا التصحيح

التحليل الأصلي لمقاومة الاتصال

بالنسبة لجميع الأرقام الواردة في المنشور الأصلي باستثناء الشكل 1، قمنا إما بطرح قيمة مقاومة التلامس البالغة 0.5 كيلو أوم، وهو تقدير أقل من الواقع¹أو لا توجد مقاومة على الإطلاق. نلاحظ أنه في قياسات الأنفاق تكون المقاومة الإجمالية أعلى بكثير من مقاومة التلامس المعدنية العادية والتي يمكن بالتالي إهمال مساهمتها. ومع ذلك، تم استخدام الشكل 1 لتقدير شفافية الاتصال فائقة التوصيل وتعزيز Andreev في نظام التوصيل العالي، مما يتطلب استبعادًا واقعيًا لمقاومة الاتصال. بعد ورقتنا السابقة⁴، التي وجدت قيم مقاومة التلامس المعدنية الطبيعية بين 1.5-3.25 كيلو أوم لكل جهة اتصال واستندت إلى تركيب التوصيل المقاس باستخدام النظرية (الوضع الفردي الذي يربط الموصل الفائق) ، والذي قدم اتفاقًا معقولًا بعد استبعاد 3 كيلو أوم ، قمنا بطرح 3 كيلو أوم لاستبعاد المقاومة من الاتصال المعدني العادي.

إعادة تحليل مقاومة الاتصال

أثناء إعادة التحليل، اكتشفنا أن الحد الأدنى لمقاومة هذا الجهاز عند أكبر جهد بوابة مطبق هو 2.9 كيلو أوم، وهي قيمة توفر حدًا أعلى لمقاومة التلامس. هنا، ستكون 2.9 كيلو أوم هي مقاومة التلامس على افتراض أن السلك النانوي نفسه لديه مقاومة صفر عند أكبر جهد للبوابة.

يمكن تقدير مقاومة التلامس بطريقة بديلة عن طريق طرح مقاومة متسلسلة لتتناسب مع هضبة التوصيل المرصودة عند الفولتية المتحيزة أعلى فجوة التوصيل الفائق إلى القيمة الكمية المتوقعة، وهو إجراء لم يتم تنفيذه في المنشور الأصلي. عن طريق أخذ متوسط ​​​​التوصيل عند الموجب والسالب |V| ~ 1.7 مللي فولت (حول أكبر الفولتية المتحيزة المتاحة لهذا التحليل) نجد أنه تم الوصول إلى القيمة الكمية لمقاومة التلامس البالغة 0.77 كيلو أوم. (بالنظر إلى التحيز الإيجابي فقط وبشكل منفصل فقط التحيز السلبي يؤدي إلى نطاق يتراوح بين 0–2.13 كيلو أوم لمقاومة التلامس.)

في تقديرنا المصحح لمقاومة التلامس، قمنا بتطبيق إجراء المعايرة⁵ الذي يصحح تأثيرات دائرة التيار المتردد، ويستخدم قيمًا معايرة لمقاومة السلسلة للإعداد حيث تم قياس الشكل 1 ويصحح الخطأ المدرج في A أعلاه مباشرة.

عند إعادة التحليل، نقوم بتقدير قيم مقاومة التلامس التالية وعوامل التعزيز والورق الشفاف:

لا تؤثر قيمة شفافية الاتصال فائقة التوصيل المصححة البالغة 0.9 على المطالبة بالشفافية العالية. لا يعتمد ادعاء النقل الباليستي على القيمة الدقيقة لهضبة التوصيل وبالتالي لا يتأثر أيضًا.

1. C.

   يحذف قسم الأساليب الأصلي الإشارة إلى مقاومات السلسلة المطروحة والتي تمثل مقاومة التلامس المعدنية الطبيعية في كل شكل. تم تضمين ما يلي هنا للطرق المصححة:

"علاج مقاومة الاتصال. تم طرح مقاومة سلسلة ذات قيمة ثابتة تبلغ 0.5 كيلو أوم في الشكلين. 1 و 4، التين التكميلي. 1, 2 ب ، ج و 4-9 لحساب مقاومة الاتصال للرصاص المعدني العادي. هذه القيمة أصغر من أقل مقاومة تلامس حصلنا عليها لأجهزة InSb nanowire²⁵ (المرجع. ⁴ أدناه)، مما يجعل شفافية الواجهة المقدرة من الشكل 1 حدًا أدنى. بالنسبة للأرقام المتبقية، لم يتم طرح أي مقاومة متسلسلة لحساب مقاومة الاتصال المعدنية العادية.

1. D.

   في الشكل التكميلي الأصلي. 5 (الآن الشكل التكميلي. 6) ، تم تصحيح قفزة الشحن عن طريق إزالة 12 أثرًا للخط (الموافق +0.15 فولت إلى +0.04 فولت في جهد البوابة في البيانات المقاسة) وإزاحة محور جهد البوابة بمقدار 0.12 فولت بعد قفزة الشحن (–1 فولت إلى +0.03 فولت) للحفاظ على استمرارية المحور. ولم يتم ذكر هذه المعالجة في المنشور الأصلي. الشكل التكميلي المصحح. 6 يستبعد هذه المعالجة ويمثل البيانات كما تم قياسها.

يتم عرض مقارنة بين الشكل الأصلي والمصحح SI5 (الآن الشكل SI6) في أ البيانات التكميلية الملف المرفق مع هذا التصحيح

• محتوى مدعوم من تحسين محركات البحث وتوزيع العلاقات العامة. تضخيم اليوم.
• PlatoData.Network Vertical Generative Ai. تمكين نفسك. الوصول هنا.
• أفلاطونايستريم. ذكاء Web3. تضخيم المعرفة. الوصول هنا.
• أفلاطون كربون، كلينتك ، الطاقة، بيئة، شمسي، إدارة المخلفات. الوصول هنا.
• أفلاطون هيلث. التكنولوجيا الحيوية وذكاء التجارب السريرية. الوصول هنا.
• المصدر https://www.nature.com/articles/s41565-024-01602-8