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DRAM,它堆疊起來:SK hynix 推出 819GB/s HBM3 技術

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韓國 DRAM 製造商 SK hynix 已開發出運行速度為 3GB/秒的 HBM819 DRAM 芯片。

HBM3 (High Bandwidth Memory 3) 是 HBM 架構的第三代,它堆疊 DRAM 芯片,通過稱為矽通孔 (TSV) 的垂直載流孔將它們連接到基礎插入板,通過連接微凸塊,它固定了一個處理器,它可以比通過傳統的 CPU 插槽接口更快地訪問 DRAM 芯片中的數據。

SK海力士DRAM開發高級副總裁Seon-yong Cha表示:“SK海力士自推出全球首款HBM DRAM以來,在引領HBM3E市場後,成功開發出業界首款HBM2。 我們將繼續努力鞏固我們在高端內存市場的領導地位。”

概要

高帶寬內存示意圖

前幾代是 HBM、HBM2 和 HBM2E(增強型或擴展型),具有 JEDEC 為每個制定標準。 它尚未開發 HBM3 標準,這意味著 SK 海力士可能需要將其設計改造為未來更快的 HBM3 標準。

HBM 內存速度。 最右邊的一列是可能的未來 HBM3 標準,空列是我們猜測的 SK 海力士 HMB3 I/O 速度。

最右邊的一列可能是未來的 HBM3 標準,空列是我們猜測的 SK 海力士 HMB3 I/O 速度

819GB/秒的速度比該公司 78GB/秒的 HBM2e 芯片速度提高了 460%。 SK hynix 在其 8GB HBM16e 芯片中使用了 16 x 2Gbit 層。 HBM3 芯片有 24GB 和 16GB 兩種容量,其中 24GB 芯片具有 12 層堆棧。

該公司表示,其工程師將他們的 DRAM 芯片高度降至約 30 微米(μm,10-6m),相當於一張 A4 紙厚度的三分之一,然後使用 TSV 技術垂直堆疊多達 12 張。

Sk hynix HBM3 芯片的底面(Interposer 面)。

SK海力士HBM3芯片的底面(Interposer側)

可以這麼說,生產 HBM3 芯片只是需要完成的工作的一半,因為它必須固定到內插處理器組合,並且需要構建以容納內存組件。

構建 HBM-內插器-處理器組合通常僅適用於需要比行業標準服務器 CPU 及其插槽方案提供的更多內存容量和速度的應用程序。 這意味著超級計算機、HPC 系統、GPU 服務器、人工智能係統等,其中的費用和專業化(受限市場)是值得的。

我們可能預計使用 SK 海力士 HBM3 的系統將在 2022 年中期和 2023 年出現。

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來源:https://go.theregister.com/feed/www.theregister.com/2021/10/20/sk_hynix_hbm3/

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