韩国 DRAM 制造商 SK hynix 已开发出运行速度为 3GB/秒的 HBM819 DRAM 芯片。
HBM3 (High Bandwidth Memory 3) 是 HBM 架构的第三代,它堆叠 DRAM 芯片,通过称为硅通孔 (TSV) 的垂直载流孔将它们连接到基础插入板,通过连接微凸块,在它固定了一个处理器,它可以比通过传统的 CPU 插槽接口更快地访问 DRAM 芯片中的数据。
SK海力士DRAM开发高级副总裁Seon-yong Cha表示:“SK海力士自推出全球首款HBM DRAM以来,在引领HBM3E市场后,成功开发出业界首款HBM2。 我们将继续努力巩固我们在高端内存市场的领导地位。”
前几代是 HBM、HBM2 和 HBM2E(增强型或扩展型),具有 JEDEC 为每个制定标准。 它尚未开发 HBM3 标准,这意味着 SK 海力士可能需要对其设计进行改造,以适应未来更快的 HBM3 标准。
819GB/秒的速度比该公司 78GB/秒的 HBM2e 芯片速度提高了 460%。 SK hynix 在其 8GB HBM16e 芯片中使用了 16 x 2Gbit 层。 HBM3 芯片有 24GB 和 16GB 两种容量,其中 24GB 芯片具有 12 层堆栈。
该公司表示,其工程师将他们的 DRAM 芯片高度降至约 30 微米(μm,10-6m),相当于一张 A4 纸厚度的三分之一,然后使用 TSV 技术垂直堆叠多达 12 张。
可以说,生产 HBM3 芯片只是需要完成的工作的一半,因为它必须固定到内插处理器组合,并且需要构建以容纳内存组件。
构建 HBM-内插器-处理器组合通常仅适用于需要比行业标准服务器 CPU 及其插槽方案提供的更多内存容量和速度的应用程序。 这意味着超级计算机、HPC 系统、GPU 服务器、人工智能系统等,其中的费用和专业化(受限市场)是值得的。
我们可能预计使用 SK 海力士 HBM3 的系统将在 2022 年中期和 2023 年出现。
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来源:https://go.theregister.com/feed/www.theregister.com/2021/10/20/sk_hynix_hbm3/