Haberler: Mikroelektronik

7 Şubat 2024

Almanya, Münih'teki Infineon Technologies AG, GS-065-060-5-BA galyum nitrür (GaN) güç transistörlerinin, West Seneca, NY, ABD'deki Worksport Ltd tarafından taşınabilir güç dönüştürücülerinde kullanılacağı bir işbirliğini duyurdu İstasyonların verimliliğini ve güç yoğunluğunu artırmak için. Infineon'un GaN transistörleri tarafından etkinleştirilen güç dönüştürücüler, daha düşük sistem maliyetleriyle birlikte daha hafif ve daha küçük boyutlu olacak. Ayrıca Infineon, boyutu daha da azaltmak ve güç yoğunluğunu artırmak için devrelerin optimizasyonunda ve yerleşim tasarımında Workport'u destekleyecek.

Resim: Worksport, verimliliği ve güç yoğunluğunu artırmak için taşınabilir güç istasyonlarının dönüştürücülerinde Infineon'un GS-065-060-5-BA GaN güç transistörlerini kullanacak.

Worksport'un CEO'su Steven Rossi şöyle yorumluyor: "Infineon'un yüksek kalite standardı ve sağlam tedarik zinciri, COR sistemi ürün grubumuz için yoğun güç dönüştürücüler sağlamak üzere bize en iyi bileşenleri sağlıyor." Şirketin COR akü sistemi bir kamyonete entegre edilebiliyor veya herhangi bir güneş paneli ya da duvar prizinden şarj edilebiliyor. Güç dönüştürücüdeki eski silikon anahtarı Infineon'un GaN güç yarı iletkenleriyle değiştirerek ve transistörleri daha yüksek anahtarlama frekansında çalıştırarak Worksport, pil sistemi ağırlığını %33 oranında ve sistem maliyetlerini %25'e kadar azaltabilecek.

Infineon ile iş ilişkisinin aynı zamanda Worksport'un CO'yu azaltmasına da yardımcı olacağı düşünülüyor2 üretim sürecinde.

Infineon'un Güç ve Sensör Sistemleri Bölümü GaN Sistemleri iş kolu başkanı Johannes Schoiswohl, "Elektrifikasyonu ve karbondan arındırmayı daha da ileri taşımak için endüstrinin güç tasarımları yenilik gerektiriyor" diyor. "GaN güç yarı iletkenlerimizle, Worksport'un kullanıcıların ihtiyaç duyduğu yeni nesil taşınabilir güç istasyonlarını oluşturmasına olanak sağlıyoruz."

Alttan soğutmalı, düşük endüktanslı GaNPX paketinde mevcut olan Infineon'un GS-065-060-5-BA'sı, bağlantıdan kasaya çok düşük termal direnç sunan, otomotiv sınıfı 650V geliştirme modlu silikon üzerinde GaN güç transistörüdür Yerleşik şarj cihazları, endüstriyel motor sürücüleri ve güneş enerjisi invertörleri gibi zorlu yüksek güçlü uygulamalar için. Ayrıca, basit geçit sürücüsü gereksinimlerine (0V ila 6V) ve geçici toleranslı geçit sürücüsüne (-20/+10V) sahiptir.

İlgili öğelere bakın:

Infineon, GaN Systems'in satın alımını tamamladı

Etiketler: Infineon HEMT Kazan

Ziyaret: www.infineon.com

• SEO Destekli İçerik ve Halkla İlişkiler Dağıtımı. Bugün Gücünüzü Artırın.
• PlatoData.Network Dikey Üretken Yapay Zeka. Kendine güç ver. Buradan Erişin.
• PlatoAiStream. Web3 Zekası. Bilgi Genişletildi. Buradan Erişin.
• PlatoESG. karbon, temiz teknoloji, Enerji, Çevre, Güneş, Atık Yönetimi. Buradan Erişin.
• PlatoSağlık. Biyoteknoloji ve Klinik Araştırmalar Zekası. Buradan Erişin.
• Kaynak: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/infineon-070224.shtml