Haberler: Mikroelektronik

22 Şubat 2024

2024'ün üçüncü mali çeyreği için (Aralık 2023'ün sonuna kadar), JEDEC ve AEC-Q101 onaylı galyum nitrür (GaN) alan etkili transistörler tasarlayan ve üreten, Santa Barbara, CA, ABD yakınlarındaki Goleta merkezli Transphorm Inc. ( Yüksek voltajlı güç dönüşümü için FET'ler) 4 ABD doları gelir bildirdi. 67 milyon dolar, yıl önceki 3.9 milyon dolara göre %4.49 artış, ancak geçen çeyrekte 6.8 milyon dolara göre %5 düşüş.

Ürün geliri, kısa vadeli talep baskıları nedeniyle geçen çeyreğe göre %3.2 ve bir yıl öncesine göre %11 düşüşle 20 milyon dolar oldu. Hükümetin geliri 1.5 milyon dolardı; bu da kabaca geçen çeyrekle aynı seviyede, ancak bir yıl öncesine göre %180 artış gösterdi.

Brüt kar marjı, bir yıl öncesine göre -%1.6'e göre bir iyileşme göstererek %59.4 olarak gerçekleşti, ancak geçen çeyrekteki %23.4'ten daha düşüktü; bu durum, 250,000 $'lık tüketim vergisi ayarlaması ve 170,000 $'lık tek seferlik hurdadan etkilenmiştir.

GAAP dışı bazda işletme giderleri daha da artarak geçen çeyrekte 6.42 milyon dolardan 7.35 milyon dolara yükseldi. Ancak bu artış büyük ölçüde Transphorm'un Japonya merkezli Renesas Electronics Corp'un bir yan kuruluşu tarafından yaklaşık 10 milyon $ karşılığında satın alınmasına ilişkin 339 Ocak'ta açıklanan kesin anlaşmayla ilgili yasal harcamalardan kaynaklanıyor.

Net zarar, geçen çeyrekteki 10 milyon $'a (hisse başına 0.20 $) kıyasla 7.13 milyon $'a (hisse başına 0.12 $) ulaştı ancak bir önceki yılki 10.46 milyon $'a (hisse başına 0.18 $) göre biraz düşüş gösterdi.

Düzeltilmiş FAVÖK, geçen çeyrekte –6.9 milyon $ (hisse başına 0.11 $) iken –4.98 milyon $ (hisse başına 0.08 $) olarak gerçekleşti, ancak bir önceki yıl –8.52 milyon $ (hisse başına 0.15 $) seviyesinde bir iyileşme yaşandı.

Çeyrek boyunca nakit, nakit benzerleri ve kısıtlı nakit 6.152 milyon dolardan 7.95 milyon dolara yükseldi. Ancak bu, Transphorm'un mevcut varantları kullanarak 3 milyon dolar ve kısa vadeli borçtan 2.1 milyon dolar toplamasından sonra oldu.

CEO ve kurucu ortak Primit Parikh, "Üçüncü çeyrek ürün gelirimiz ardı ardına marjinal bir düşüş yaşarken, gelir hattımızı oluşturma ve tasarımları güvence altına alma konusunda güçlü bir ivme kazanmaya devam ettik" diyor.

Çeyrek boyunca öne çıkanlar şöyle sıralanıyor:

Yüksek güç segmenti

• Daha yüksek güç (300W–7.5kW) için toplam tasarım sayısı 120'nin üzerine çıkarıldı (35'in üzerinde üretimde), bu da Kasım ayındaki 20 önceki güncellemeye göre %100 artış anlamına geliyor.
• 4 uçlu TO-247 paketinde iki yeni SuperGaN cihazı duyuruldu; SiC FET'ler için bir yedek parça, 35 mΩ ve 50 mΩ direnç ve yakın zamanda dahili olarak %25 daha düşük enerji kaybıyla daha verimli anahtarlama yetenekleri avantajı sunuyor testler, yeni ve mevcut çözümlerle soket penetrasyon fırsatlarının artırılması.
• Transphorm'un yakın zamanda piyasaya sürülen 85110V/650mΩ TOLL cihazını kullanarak yüksek güçlü uygulamalar için GaN güç sistemi performansını artırmak amacıyla Allegro MicroSystem'in AHV70 İzole Kapı Sürücüsü ve Transphorm'un SuperGaN FET'leri ile bir işbirliği yaptığını duyurdu.
• Güce aç yapay zeka (AI) uygulamaları, sunucu gücü, enerji ve endüstriyel pazarlar için daha yüksek güç uygulamalarını destekleyen yüzeye monte cihazlar (SMD) TOLL paketlerinde üç Transphorm FET'i piyasaya sürdü ve GaN'yi bu kilovat sınıfı güç için en uygun cihazlar olarak konumlandırdı. aç uygulamalar ve yüksek voltaj, yüksek güç dinamik güvenilirliğini kanıtlıyor.
• JEDEC standardı (MO-332) TOLT paketinde endüstrinin ilk üst taraftan soğutmalı yüzeye monte GaN cihazı olduğu iddia edilen SuperGaN TOLT FET'i piyasaya sürdü; bilgi işlem, yapay zeka, enerji ve otomotiv güç sistemleri.
• İki ve üç tekerlekli EV'lere uygun, elektrikli araç (EV) şarj uygulamalarına yönelik iki akü şarj cihazı referans tasarımı yayınlandı.
• 1200 takvim yılının ortasına kadar 2024V mühendislik numuneleri yolda.

Düşük güç segmenti

• Güç adaptörleri ve hızlı şarj cihazları (<300W) için toplam tasarım sayısı 125'in üzerine çıktı (üretimde 30'un üzerinde), devam eden tasarımlarda Kasım 8'teki önceki güncellemeye göre %115'lik bir artış.
• Weltrend Semiconductor Inc. ile, yarı rezonans geri dönüş topolojisinde %100 verimlilik elde etmek için Transphorm'un WT7162RHUG24A SuperGaN paket içi sistemini kullanan 92.7 W USB-C PD güç adaptörü referans tasarımı duyuruldu.

İlgili öğelere bakın:

Transphorm, yüksek güçlü sunucu, yenilenebilir, endüstriyel güç dönüşümü için iki adet 4 uçlu TO-247 GaN FET'i piyasaya sürüyor

Renesas, GaN cihaz üreticisi Transphorm'u 339 milyon dolara satın alacak

Transphorm ve Weltrend, 100W USB-C PD güç adaptörü referans tasarımını kullanıma sunuyor

Transphorm'un üç aylık ürün geliri sırasıyla %18 artarak beklenenden yüksek olan 3.55 milyon dolara ulaştı

Transphorm'un üç aylık geliri, Devlet sözleşme gelirlerinin de etkisiyle yıllık %14 artışla 5.9 milyon dolara yükseldi

Transphorm'un tüm yıl ürün geliri %21 arttı

Transphorm'un ürün geliri Aralık çeyreğinde %25 arttı

Etiketler: Transform GaN-on-Si HEMT Kazan

Ziyaret: www.transphormusa.com

• SEO Destekli İçerik ve Halkla İlişkiler Dağıtımı. Bugün Gücünüzü Artırın.
• PlatoData.Network Dikey Üretken Yapay Zeka. Kendine güç ver. Buradan Erişin.
• PlatoAiStream. Web3 Zekası. Bilgi Genişletildi. Buradan Erişin.
• PlatoESG. karbon, temiz teknoloji, Enerji, Çevre, Güneş, Atık Yönetimi. Buradan Erişin.
• PlatoSağlık. Biyoteknoloji ve Klinik Araştırmalar Zekası. Buradan Erişin.
• Kaynak: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/feb/transphorm-220224.shtml