Antiferromanyetik İzolatörlerde Katman Hall Etkisi ve Gizli Berry Eğrisi

Ana Sayfa > Basın > Antiferromanyetik izolatörlerde Layer Hall etkisi ve gizli Berry eğriliği

İki katmanlı bir antiferromanyetik yalıtkanda Hall etkisinin (a) ve katman kilitli gizli Berry eğriliğinin (b) şemaları. Katman Hall etkisinde, elektronlar, katman kilitli gizli Berry eğriliği nedeniyle farklı katmanlarda (kırmızı ve mavi oklu eğriler) kendiliğinden zıt taraflara sapar. (c)-(d) Dikey bir elektrik alanı (camgöbeği ok) uygulandığında, sistem, elektrik alan yönü ile ayarlanabilen katman kilitli anormal Hall etkileri gösterir. Sarı oklar, antiferromanyetik konfigürasyonları belirtir. Yeşil oklar, Hall ölçümü için düzlem içi elektrik alanını Ey gösterir.
KREDİ
© Science China Press

Özet:
Bu çalışma, Prof. Hai-Zhou Lu ve Prof. Qihang Liu (Shenzhen Kuantum Bilimi ve Mühendisliği Enstitüsü ve Güney Bilim ve Teknoloji Üniversitesi, Fizik Bölümü) tarafından yürütülmektedir.

Antiferromanyetik izolatörlerde Layer Hall etkisi ve gizli Berry eğriliği

Pekin, Çin | 30 Eylül 2022'de yayınlandı

Ne zaman yeni bir Hall etkisi keşfedilse, bir araştırma dalgası ilham alacaktır. Yeni bir Hall efekti türü, katman Hall efekti üzerindeki ilk deney, Xu'nun Harvard Üniversitesi'ndeki grubu tarafından rapor edilmişti. Katman Hall etkisinde, üst ve alt katmanlardan gelen elektronlar zıt yönlere saptırılır ve PT simetrisini kırmak için düzlem dışı bir elektrik alanı uygulanarak ölçülür [aşağıdaki Şekil (c) ve (d)'ye bakın], burada P ve T sırasıyla ters çevirme simetrisini ve zaman ters simetrisini temsil eder. Yazarlar, Hall etkisi katmanı için gizli Berry eğriliği açısından evrensel bir resim önerdiler [Şekil (b)]. Katman Hall etkisinin varlığının, vadi/spin Hall etkisine benzeyen elektrik alanı [Şekil (a)] ile alakasız olduğunu gösteriyorlar. Bu nedenle, ayrıca elektrik alanı uygulamadan katman Hall etkisini belirlemek için yerel olmayan ölçüm gibi alternatif bir yaklaşım da önerdiler.

Öte yandan, yazarlar, PT-simetrik antiferromanyetik izolatörlerde katman Hall etkisini geliştirmek için üç farklı özellik ortaya koydu. Ayrıca, yazarlar, daha deneysel keşiflere ilham verecek olan katman Hall etkisi için daha fazla malzeme adayı önerdiler. Ayrıca, gizli fizik, gelecekte spin, yörünge ve dairesel polarizasyonlar dahil olmak üzere birçok serbestlik derecesine genelleştirilebilir.

####

Daha fazla bilgi için lütfen tıklayın okuyun

İletişim:
Medya İletişim

Bei Yan
Bilim Çin Basın

Uzman İletişim

Hai Zhou Lu
Shenzhen Kuantum Bilimi ve Mühendisliği Enstitüsü ve Fizik Bölümü, Güney Bilim ve Teknoloji Üniversitesi (SUSTech)

Telif Hakkı © Science China Press

Bir yorumunuz varsa, lütfen İletişim bize.

7th Wave, Inc. veya Nanotechnology Now değil, haber bültenleri yayıncıları yalnızca içeriğin doğruluğundan sorumludur.

Yer imi: