Lagerhalleffekt och dold bärkurvatur i antiferromagnetiska isolatorer

Hem > Presse > Layer Hall-effekt och dold bärkurvatur i antiferromagnetiska isolatorer

Schema över lagret Hall-effekt (a) och lagerlåst dold bärkurvatur (b) i en tvålagers antiferromagnetisk isolator. I lager Hall-effekten avleds elektroner spontant till motsatta sidor vid olika lager (de röda och blå pilade kurvorna) på grund av den lagerlåsta dolda Berry-kurvaturen. (c)-(d) När ett vinkelrät elektriskt fält (cyanpilen) appliceras visar systemet lagerlåsta anomala Hall-effekter som kan avstämmas av det elektriska fältets riktning. De gula pilarna anger de antiferromagnetiska konfigurationerna. De gröna pilarna anger det elektriska fältet Ey i planet för Hall-mätningen.
KREDITERA
© Science China Press

Sammanfattning:
Denna studie leds av Prof. Hai-Zhou Lu och Prof. Qihang Liu (Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering och Institutionen för fysik, Southern University of Science and Technology).

Layer Hall-effekt och dold bärkurvatur i antiferromagnetiska isolatorer

Peking, Kina | Postat den 30 september 2022

Varje gång en ny Hall-effekt upptäcks kommer en våg av forskning att inspireras. Det första experimentet med en ny typ av Hall-effekt, lager-Hall-effekten, hade rapporterats av Xus grupp vid Harvard University. I lager Hall-effekten avböjs elektroner från de övre och nedre lagren i motsatta riktningar och mättes genom att applicera ett elektriskt fält utanför planet för att bryta PT-symmetri [se figurerna (c) och (d) nedan], där P och T representerar inversionssymmetri respektive tidsreverseringssymmetri. Författarna föreslog en universell bild i termer av dold Berry-kurvatur för lager Hall-effekten [Figur (b)]. De visar att existensen av lager Hall-effekten är irrelevant för det elektriska fältet [Figur (a)], som liknar dal/spin Hall-effekten. Därför föreslog de också ett alternativt tillvägagångssätt, dvs den icke-lokala mätningen, för att identifiera lager Hall-effekten, utan att applicera det elektriska fältet.

Å andra sidan avslöjade författarna tre distinkta egenskaper för att förbättra lager Hall-effekten i PT-symmetriska antiferromagnetiska isolatorer. Dessutom föreslog författarna fler materialkandidater för lager Hall-effekten, vilket kommer att inspirera till fler experimentella undersökningar. Dessutom kan den dolda fysiken generaliseras till många frihetsgrader, inklusive spinn-, orbital- och cirkulära polarisationer i framtiden.

####

För mer information, klicka på här.

Kontaktpersoner:
Media Kontakt

Bei Yan
Science China Press

Expertkontakt

Hai-Zhou Lu
Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering och Institutionen för fysik, Southern University of Science and Technology (SUSTech)

Om du har en kommentar, snälla Kontakta oss oss.

Emittenter av nyhetsmeddelanden, inte 7th Wave, Inc. eller Nanotechnology Now, är ensamma ansvariga för innehållets noggrannhet.

Bokmärke: