Layer Hall-effect en verborgen bessenkromming in antiferromagnetische isolatoren

Home > Media > Layer Hall-effect en verborgen Berry-kromming in antiferromagnetische isolatoren

Schema's van het laag Hall-effect (a) en laag-vergrendelde verborgen Berry-kromming (b) in een tweelaagse antiferromagnetische isolator. In het Layer Hall-effect worden elektronen spontaan afgebogen naar tegenoverliggende zijden in verschillende lagen (de rode en blauwe pijlcurven) vanwege de laag-vergrendelde verborgen Berry-kromming. (c)-(d) Wanneer een loodrecht elektrisch veld (de cyaan pijl) wordt toegepast, vertoont het systeem in lagen vergrendelde abnormale Hall-effecten die kunnen worden afgesteld door de richting van het elektrische veld. De gele pijlen geven de antiferromagnetische configuraties aan. De groene pijlen duiden het elektrische veld Ey in het vlak aan voor de Hall-meting.
CREDIT
© Science China Press

Abstract:
Deze studie wordt geleid door Prof. Hai-Zhou Lu en Prof. Qihang Liu (Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering en Department of Physics, Southern University of Science and Technology).

Layer Hall-effect en verborgen Berry-kromming in antiferromagnetische isolatoren

Peking, China | Geplaatst op 30 september 2022

Elke keer dat een nieuw Hall-effect wordt ontdekt, zal een golf van onderzoek worden geïnspireerd. Het eerste experiment met een nieuw type Hall-effect, het laag Hall-effect, was gerapporteerd door Xu's groep aan de Harvard University. In het laag Hall-effect worden elektronen van de bovenste en onderste lagen in tegengestelde richtingen afgebogen en werd gemeten door een elektrisch veld buiten het vlak toe te passen om de PT-symmetrie te doorbreken [zie figuren (c) en (d) hieronder], waarbij P en T vertegenwoordigen respectievelijk inversiesymmetrie en tijdomkeringssymmetrie. De auteurs stelden een universeel beeld voor in termen van verborgen Berry-kromming voor het laag Hall-effect [Figuur (b)]. Ze laten zien dat het bestaan van het laag Hall-effect niet relevant is voor het elektrische veld [Figuur (a)], dat vergelijkbaar is met het vallei/spin Hall-effect. Daarom stelden ze ook een alternatieve benadering voor, namelijk de niet-lokale meting, om het laag Hall-effect te identificeren, zonder het elektrische veld toe te passen.

Aan de andere kant onthulden de auteurs drie verschillende kenmerken om het laag Hall-effect in PT-symmetrische antiferromagnetische isolatoren te verbeteren. Bovendien hebben de auteurs meer materiële kandidaten voorgesteld voor het laag Hall-effect, wat zal leiden tot meer experimentele verkenningen. Ook kan de verborgen fysica worden gegeneraliseerd naar vele vrijheidsgraden, waaronder spin-, orbitale en circulaire polarisaties in de toekomst.

####

Voor meer informatie, klik hier

Kontakte:
Medienkontakt

Bei Yan
Wetenschap China Press

Contactpersoon voor experts

Hai-Zhou Lu
Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering en Department of Physics, Southern University of Science and Technology (SUSTech)

Auteursrecht © Science China Press

Als u een opmerking heeft, alstublieft Neem contact op met ons op.

Uitgevers van nieuwsberichten, niet 7th Wave, Inc. of Nanotechnology Now, zijn zelf verantwoordelijk voor de juistheid van de inhoud.

Bladwijzer: